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呵呵，可控硅涉及隔離（加光耦）的問(wèn)題，最主要是大電流時(shí)可控硅散熱，還有過(guò)電流沖擊的問(wèn)題，可控硅肯定是不可以。

最終解決方案： 同廠家進(jìn)行確認(rèn)，使其同一種型號(hào)的繼電器吸合時(shí)間偏差盡量保持在一個(gè)小的誤差范圍內(nèi)，并且知道大體的吸合時(shí)間，依據(jù)這個(gè)時(shí)間和過(guò)零檢測(cè)電路，通過(guò)MCU控制吸合時(shí)間，使繼電器盡量在過(guò)零點(diǎn)范圍內(nèi)吸合，這樣可使繼電器觸點(diǎn)電流保持在很小的范圍內(nèi)。  

不錯(cuò)！?。。。?！

很好的資料，謝謝！

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一句話:太感謝了!!!