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樓主的波形居然沒有毛刺，用的差分探頭？

大大，求教一個(gè)問題，UC3843的最大供電電流，是多少?。客涣哔n教。

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大大，能否詳細(xì)說明？

排長(zhǎng)大大，您一語(yǔ)中的但是，請(qǐng)看我的新思路：我在B圖的基礎(chǔ)上，漸漸加大UC3843的供電電壓，那么MOS管S端電壓也會(huì)慢慢抬升當(dāng)我把供電電壓加到20V并進(jìn)行電路仿真，MOS管S端電壓接近12V（仿真結(jié)果給的11.5V），計(jì)算負(fù)載輸出電壓與輸入電壓12V的比值，發(fā)現(xiàn)與此時(shí)選定的RT對(duì)應(yīng)的占空比非常接近了不知道，用這種方法去【”模擬“MOS管的開關(guān)狀態(tài)，MOS管可能還是處于放大狀態(tài)】，是否可行？還望排長(zhǎng)大大點(diǎn)撥。（我只是單純地從進(jìn)行Buck電路的驗(yàn)證的角度出發(fā)，不是為了設(shè)計(jì)產(chǎn)品）哦，您最后說的【然后3843通過控制NMOS來實(shí)現(xiàn)PMOS開關(guān)】，應(yīng)該改成【然后3843通過控制PMOS來實(shí)現(xiàn)NMOS開關(guān)】吧？

統(tǒng)帥大大，問題有了轉(zhuǎn)機(jī)。歸根結(jié)底是MOS管的驅(qū)動(dòng)問題，如7貼那位排長(zhǎng)所說，我設(shè)計(jì)的電路中MOS管都處于放大狀態(tài)，而非開關(guān)狀態(tài)但是，我現(xiàn)在有個(gè)新的思路：我在B圖的基礎(chǔ)上，漸漸加大UC3843的供電電壓，那么MOS管S端電壓也會(huì)慢慢抬升當(dāng)我把供電電壓加到20V并進(jìn)行電路仿真，MOS管S端電壓接近12V（仿真結(jié)果給的11.5V），計(jì)算負(fù)載輸出電壓與輸入電壓12V的比值，發(fā)現(xiàn)與此時(shí)選定的RT對(duì)應(yīng)的占空比非常接近了不知道，用這種方法去【”模擬“MOS管的開關(guān)狀態(tài)，MOS管可能還是處于放大狀態(tài)】，是否可行？還望統(tǒng)帥大人點(diǎn)撥。（我只是單純地從進(jìn)行Buck電路的驗(yàn)證的角度出發(fā)，不是為了設(shè)計(jì)產(chǎn)品）

軍長(zhǎng)大大，貌似找到問題所在了。。看MOS管S端對(duì)地電壓波形，要從兩方面著手：電壓幅值，波形。我昨天僅僅考慮波形是否為方波，這樣考慮太偏頗，其實(shí)還要考慮S端的電壓幅值。Buck理想模型加在【電感和續(xù)流二極管負(fù)極的公共端，也就是我設(shè)計(jì)電路的MOS管的S端】的電壓理論上應(yīng)該是輸入電壓我設(shè)計(jì)電路的輸入電壓是12V，那么理論上在S端也應(yīng)該是12V，但仿真結(jié)果達(dá)不到7貼那個(gè)排長(zhǎng)可能說到關(guān)鍵了，我的MOS管無論是在A圖，還是B圖中，都處于放大狀態(tài)，導(dǎo)致在MOS管上的電壓損耗特別大，所以S端電壓遠(yuǎn)低于12V（從另一方面來講，利用N溝道MOS管，而且還在高端，去做Buck的確不好處理）但是，我想了一個(gè)晚上，有了新的思路：我在B圖的基礎(chǔ)上，漸漸加大UC3843的供電電壓，那么MOS管S端電壓也會(huì)慢慢抬升當(dāng)我把供電電壓加到20V并進(jìn)行電路仿真，MOS管S端電壓接近12V（仿真結(jié)果給的11.5V），計(jì)算負(fù)載輸出電壓與輸入電壓12V的比值，發(fā)現(xiàn)與此時(shí)選定的RT對(duì)應(yīng)的占空比非常接近了不知道，用這種方法去【”模擬“MOS管的開關(guān)狀態(tài)，MOS管可能還是處于放大狀態(tài)】，是否可行？還望軍長(zhǎng)大大點(diǎn)撥。（我只是單純地從進(jìn)行Buck電路的驗(yàn)證的角度出發(fā)，不是為了設(shè)計(jì)產(chǎn)品）