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①申請(qǐng)購(gòu)買(mǎi)產(chǎn)品：XC878開(kāi)發(fā)板[圖片]②我的發(fā)帖規(guī)劃： 1.開(kāi)箱篇介紹開(kāi)發(fā)板里的MCU特點(diǎn)； 2.開(kāi)發(fā)板硬件資源； 3.開(kāi)發(fā)板軟件使用； 4.做個(gè)小項(xiàng)目：制作BLDC小風(fēng)扇 5.DIY總結(jié)。

這些資料很有用。

我的申請(qǐng)理由：1.測(cè)試BM1Z002FJ IC的功耗； 2.了解并測(cè)試過(guò)零檢測(cè)時(shí)的延時(shí)時(shí)間； 3.了解并測(cè)試下電機(jī)或MCU在90-264VAC輸入情況下，此DEMO是否可提供可靠運(yùn)行及其效率； 我的試用規(guī)劃是：1.了解并分析此DEMO的電路結(jié)構(gòu)與參數(shù)選擇；2.測(cè)試IC功耗，檢測(cè)過(guò)零檢測(cè)延時(shí)時(shí)間，依照DEMO里的R3取四種值進(jìn)行檢測(cè)是否符合規(guī)格書(shū)所描述；3.做樣品測(cè)試可靠性與全電壓下的效率；

如何報(bào)名參賽？

失望了，在這個(gè)網(wǎng)站里申請(qǐng)了幾年，從沒(méi)成功過(guò)一次。還是21世紀(jì)電源比較給力。

第三代半導(dǎo)體GaN的優(yōu)勢(shì)，在文章里都講得很清楚，還有各位工程師也發(fā)表了很多補(bǔ)充及個(gè)人的理解觀點(diǎn)，在這里本人就不重復(fù)了。這里只想問(wèn)下廠商或者知情者：薄膜結(jié)構(gòu)的GaN在抗短路耐受力電氣性能上和SI、SIC相比的測(cè)試數(shù)據(jù)，能否總結(jié)下給我們了解。

請(qǐng)問(wèn)美女，試用名單出來(lái)了沒(méi)有？

是啊，很期待能試用羅姆的產(chǎn)品。

尊敬的主辦方：本人是主要從事200W以內(nèi)的源研發(fā)，看到主辦法舉辦這個(gè)活動(dòng)后，非常想試用SiC-MOSFET評(píng)估板P02SCT3040KR-EVK-001，本人的申請(qǐng)理由下：1.SICMOSFET取代IGBT是趨勢(shì)，本人有做過(guò)IGBT的項(xiàng)目，現(xiàn)在想試用下SIC MOSFET的評(píng)估板來(lái)和IGBT做個(gè)比較。2.未試用過(guò)羅姆的SIC 器件，想以此機(jī)會(huì)評(píng)測(cè)羅姆公司的SIC產(chǎn)品，也為本公司儲(chǔ)備器件供應(yīng)商資料。試用規(guī)劃是：1.根據(jù)評(píng)估板的參先評(píng)測(cè)下評(píng)估各項(xiàng)電源指標(biāo)：效率、對(duì)應(yīng)帶寬的紋波、澡音、電壓調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率、溫飄系數(shù)等；2.與本評(píng)估板相類似功率的電源且使用IGBT器件的電源對(duì)行各參數(shù)進(jìn)行比較優(yōu)劣；3.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。

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