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關(guān)于DB3幾個(gè)參數(shù)的說明一、VBO—最大轉(zhuǎn)折電壓,即DB3在導(dǎo)通前可以施加在兩端的最大電壓.作為本器件最重要的一項(xiàng)參數(shù),VBO是電路設(shè)計(jì)人員首要考慮的問題.在不同的電路中對(duì)VBO的要求也是不一樣的,舉例說明:A)圖2的調(diào)光燈電路的工作原理為:打開開關(guān)K,即開始了對(duì)電容C的充電,當(dāng)電容C上的電壓達(dá)到2CTS(DB3)的最大轉(zhuǎn)折電壓VBO后,DB3迅速導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻區(qū),電容上的電能通過DB3對(duì)電阻R2放電,形成電壓,則觸發(fā)可控硅3CT進(jìn)入導(dǎo)通.電容C上的充電速度取決于時(shí)間常數(shù)T,T=(R+W)*C,所以改變W的電阻值,即可改變觸發(fā)可控硅早晚,即改變其導(dǎo)通角.VBO的大小同樣也影響導(dǎo)通角.故在此電路中對(duì)VBO的對(duì)稱性要求應(yīng)該要高一些.B)圖3是典型的節(jié)能燈電路:當(dāng)電容C2上的電壓充至DB3的最大轉(zhuǎn)折電壓VBO時(shí),DB3迅速導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻區(qū),電容上的電能通過DB3、V2的發(fā)射結(jié)對(duì)電阻放電,將V2迅速帶入飽和狀態(tài),并將燈管點(diǎn)亮.值得注意的是,由于V1、V2的振蕩頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電容C2的充電時(shí)間常數(shù),所以在電路此后的工作中電容C2上的電壓被二極管1N4007瀉放,即DB3將不再參加其中的工作.C)兩個(gè)電路比較:對(duì)于圖2電路,由于DB3在使用時(shí)是不分極性的,所以對(duì)于對(duì)稱性的概念其實(shí)就是一個(gè)整批一致性的概念.VBO的大小和對(duì)稱性將影響著可控硅的導(dǎo)通角,影響著整批電路的一致性.對(duì)于圖3電路來說,需要的僅僅是一個(gè)有效的觸發(fā)脈沖,而DB3的VBO大小對(duì)電路的工作并無直接影響.二、IBO和IB—分別為和VBO和VBO/2下的漏電流:在以上兩個(gè)電路中IBO和IB都影響著電容C上的充電速度以及能否成功觸發(fā)DB3.若兩項(xiàng)漏電流都較大,則電容在充電的同時(shí)電能也被漸進(jìn)地瀉放,造成的結(jié)果是充電時(shí)間加長了數(shù)倍或根本不能超越VBO.所以對(duì)IBO和的IB的要求應(yīng)該是越小越好.三、ΔV—電壓回差:在DB3以恒定電流IF導(dǎo)通后的壓降VF和VBO的差值,即VBO-VF.由于在以上兩個(gè)電路中均有電容對(duì)回路中的電阻進(jìn)行放電,而放電電流的大小和脈沖的波形則為成功出發(fā)后面電路的關(guān)鍵所在.由于各公司DB3的生產(chǎn)工藝不同,所以其在電路中的觸發(fā)波形也相差很大.我們用美國Tektronix公司的TDS3012B型示波器捕捉了圖3中V2發(fā)射極的電壓,便可以清楚地看到不同的DB3觸發(fā)電流波形圖.圖4為選用我公司JFDB3,其中ΔV1=7V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形.圖5為選用我公司JFDB3,其中ΔV1=2V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形.圖6、圖7為選用其他公司××DB3,其中ΔV1=6V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形. 由四個(gè)圖比較可以看出JFDB3的波形比較大,而且上升時(shí)間很短約100ns,而其他產(chǎn)品則波形平坦,上升時(shí)間約200ns.兩種波形比較的話,平坦的、上升時(shí)間長的不易觸發(fā),反之則易欲觸發(fā).再拿我公司的兩種來比較,由圖可以看出:其中ΔV1的差異并不能明顯改變波形的形狀和大小.主要是我公司的JFDB3經(jīng)過工藝改進(jìn)后將上升時(shí)間T大幅度縮小,從而削弱了ΔV1對(duì)觸發(fā)波形的影響.若上升時(shí)間T過大,則波形的高度不能保證,不易觸發(fā),只有通過增加ΔV1和ΔV2來保證.我們?cè)诠に嚿蠝p小了T提高了ΔV2,使得觸發(fā)更加容易,實(shí)踐證明采用新工藝后ΔV2>2V便可以成功觸發(fā)節(jié)能燈電路.四、國際通用的DB3參數(shù)標(biāo)準(zhǔn):項(xiàng)目參數(shù)值測(cè)試條件VBO32±4V│+VBO│-│-VBO│3VIBO100μAIB10μAVBO/2│±ΔV│>5VTr