請教觸發(fā)管的問題???
觸發(fā)管要什么測試比較好呢?我們現(xiàn)在公司所拿的觸發(fā)管特別差,是不是電子鎮(zhèn)流器要觸發(fā)電路比較麻煩呢?請各位大哥賜教!!!
請教觸發(fā)管的問題???
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關(guān)于DB3幾個參數(shù)的說明
一、 VBO—最大轉(zhuǎn)折電壓,即DB3在導(dǎo)通前可以施加在兩端的最大電壓.作為本器件最重要的一項(xiàng)參數(shù), VBO是電路設(shè)計(jì)人員首要考慮的問題.在不同的電路中對VBO的要求也是不一樣的,舉例說明:
A) 圖2的調(diào)光燈電路的工作原理為:打開開關(guān)K,即開始了對電容C的充電,當(dāng)電容C上的電壓達(dá)到2CTS(DB3)的最大轉(zhuǎn)折電壓VBO后,DB3迅速導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻區(qū),電容上的電能通過DB3對電阻R2放電,形成電壓,則觸發(fā)可控硅3CT進(jìn)入導(dǎo)通.電容C上的充電速度取決于時間常數(shù)T,T=(R+W)*C,所以改變W的電阻值,即可改變觸發(fā)可控硅早晚,即改變其導(dǎo)通角.VBO的大小同樣也影響導(dǎo)通角.故在此電路中對VBO的對稱性要求應(yīng)該要高一些.
B) 圖3是典型的節(jié)能燈電路:當(dāng)電容C2上的電壓充至DB3的最大轉(zhuǎn)折電壓VBO時,DB3迅速導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻區(qū),電容上的電能通過DB3、V2的發(fā)射結(jié)對電阻放電,將V2迅速帶入飽和狀態(tài),并將燈管點(diǎn)亮.值得注意的是,由于V1、V2的振蕩頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電容C2的充電時間常數(shù),所以在電路此后的工作中電容C2上的電壓被二極管1N4007瀉放,即DB3將不再參加其中的工作.
C) 兩個電路比較:對于圖2電路,由于DB3在使用時是不分極性的,所以對于對稱性的概念其實(shí)就是一個整批一致性的概念.VBO的大小和對稱性將影響著可控硅的導(dǎo)通角,影響著整批電路的一致性.對于圖3電路來說,需要的僅僅是一個有效的觸發(fā)脈沖,而DB3的VBO大小對電路的工作并無直接影響.
二、 IBO和IB—分別為和VBO和VBO/2下的漏電流:在以上兩個電路中IBO和IB都影響著電容C上的充電速度以及能否成功觸發(fā)DB3.若兩項(xiàng)漏電流都較大,則電容在充電的同時電能也被漸進(jìn)地瀉放,造成的結(jié)果是充電時間加長了數(shù)倍或根本不能超越VBO.所以對IBO和的IB的要求應(yīng)該是越小越好.
三、 ΔV—電壓回差:在DB3以恒定電流IF導(dǎo)通后的壓降VF和VBO的差值,即VBO- VF.由于在以上兩個電路中均有電容對回路中的電阻進(jìn)行放電,而放電電流的大小和脈沖的波形則為成功出發(fā)后面電路的關(guān)鍵所在.由于各公司DB3的生產(chǎn)工藝不同,所以其在電路中的觸發(fā)波形也相差很大.我們用美國Tektronix公司的TDS3012B型示波器捕捉了圖3中V2發(fā)射極的電壓,便可以清楚地看到不同的DB3觸發(fā)電流波形圖.
圖4為選用我公司JF DB3,其中ΔV1=7V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形.
圖5為選用我公司JF DB3,其中ΔV1=2V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形.
圖6、圖7為選用其他公司×× DB3,其中ΔV1=6V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形.
由四個圖比較可以看出JF DB3的波形比較大,而且上升時間很短約100ns,而其他產(chǎn)品則波形平坦,上升時間約200 ns.兩種波形比較的話,平坦的、上升時間長的不易觸發(fā),反之則易欲觸發(fā).再拿我公司的兩種來比較,由圖可以看出:其中ΔV1的差異并不能明顯改變波形的形狀和大小.主要是我公司的JF DB3經(jīng)過工藝改進(jìn)后將上升時間T大幅度縮小,從而削弱了ΔV1對觸發(fā)波形的影響.若上升時間T過大,則波形的高度不能保證,不易觸發(fā),只有通過增加ΔV1和ΔV2來保證.我們在工藝上減小了T提高了ΔV2,使得觸發(fā)更加容易,實(shí)踐證明采用新工藝后ΔV2>2V便可以成功觸發(fā)節(jié)能燈電路.
四、 國際通用的DB3參數(shù)標(biāo)準(zhǔn):
項(xiàng)目 參數(shù)值 測試條件
VBO 32±4V
│+VBO│-│-VBO│ 3V
IBO 100μA
IB 10μA VBO/2
│±ΔV│ >5V
Tr <1.5μS
以上為我公司技術(shù)人員的分析結(jié)論,由于水平有限,錯誤在所難免,請批評指正.
一、 VBO—最大轉(zhuǎn)折電壓,即DB3在導(dǎo)通前可以施加在兩端的最大電壓.作為本器件最重要的一項(xiàng)參數(shù), VBO是電路設(shè)計(jì)人員首要考慮的問題.在不同的電路中對VBO的要求也是不一樣的,舉例說明:
A) 圖2的調(diào)光燈電路的工作原理為:打開開關(guān)K,即開始了對電容C的充電,當(dāng)電容C上的電壓達(dá)到2CTS(DB3)的最大轉(zhuǎn)折電壓VBO后,DB3迅速導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻區(qū),電容上的電能通過DB3對電阻R2放電,形成電壓,則觸發(fā)可控硅3CT進(jìn)入導(dǎo)通.電容C上的充電速度取決于時間常數(shù)T,T=(R+W)*C,所以改變W的電阻值,即可改變觸發(fā)可控硅早晚,即改變其導(dǎo)通角.VBO的大小同樣也影響導(dǎo)通角.故在此電路中對VBO的對稱性要求應(yīng)該要高一些.
B) 圖3是典型的節(jié)能燈電路:當(dāng)電容C2上的電壓充至DB3的最大轉(zhuǎn)折電壓VBO時,DB3迅速導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻區(qū),電容上的電能通過DB3、V2的發(fā)射結(jié)對電阻放電,將V2迅速帶入飽和狀態(tài),并將燈管點(diǎn)亮.值得注意的是,由于V1、V2的振蕩頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電容C2的充電時間常數(shù),所以在電路此后的工作中電容C2上的電壓被二極管1N4007瀉放,即DB3將不再參加其中的工作.
C) 兩個電路比較:對于圖2電路,由于DB3在使用時是不分極性的,所以對于對稱性的概念其實(shí)就是一個整批一致性的概念.VBO的大小和對稱性將影響著可控硅的導(dǎo)通角,影響著整批電路的一致性.對于圖3電路來說,需要的僅僅是一個有效的觸發(fā)脈沖,而DB3的VBO大小對電路的工作并無直接影響.
二、 IBO和IB—分別為和VBO和VBO/2下的漏電流:在以上兩個電路中IBO和IB都影響著電容C上的充電速度以及能否成功觸發(fā)DB3.若兩項(xiàng)漏電流都較大,則電容在充電的同時電能也被漸進(jìn)地瀉放,造成的結(jié)果是充電時間加長了數(shù)倍或根本不能超越VBO.所以對IBO和的IB的要求應(yīng)該是越小越好.
三、 ΔV—電壓回差:在DB3以恒定電流IF導(dǎo)通后的壓降VF和VBO的差值,即VBO- VF.由于在以上兩個電路中均有電容對回路中的電阻進(jìn)行放電,而放電電流的大小和脈沖的波形則為成功出發(fā)后面電路的關(guān)鍵所在.由于各公司DB3的生產(chǎn)工藝不同,所以其在電路中的觸發(fā)波形也相差很大.我們用美國Tektronix公司的TDS3012B型示波器捕捉了圖3中V2發(fā)射極的電壓,便可以清楚地看到不同的DB3觸發(fā)電流波形圖.
圖4為選用我公司JF DB3,其中ΔV1=7V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形.
圖5為選用我公司JF DB3,其中ΔV1=2V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形.
圖6、圖7為選用其他公司×× DB3,其中ΔV1=6V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形.
由四個圖比較可以看出JF DB3的波形比較大,而且上升時間很短約100ns,而其他產(chǎn)品則波形平坦,上升時間約200 ns.兩種波形比較的話,平坦的、上升時間長的不易觸發(fā),反之則易欲觸發(fā).再拿我公司的兩種來比較,由圖可以看出:其中ΔV1的差異并不能明顯改變波形的形狀和大小.主要是我公司的JF DB3經(jīng)過工藝改進(jìn)后將上升時間T大幅度縮小,從而削弱了ΔV1對觸發(fā)波形的影響.若上升時間T過大,則波形的高度不能保證,不易觸發(fā),只有通過增加ΔV1和ΔV2來保證.我們在工藝上減小了T提高了ΔV2,使得觸發(fā)更加容易,實(shí)踐證明采用新工藝后ΔV2>2V便可以成功觸發(fā)節(jié)能燈電路.
四、 國際通用的DB3參數(shù)標(biāo)準(zhǔn):
項(xiàng)目 參數(shù)值 測試條件
VBO 32±4V
│+VBO│-│-VBO│ 3V
IBO 100μA
IB 10μA VBO/2
│±ΔV│ >5V
Tr <1.5μS
以上為我公司技術(shù)人員的分析結(jié)論,由于水平有限,錯誤在所難免,請批評指正.
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@wdy1699263
關(guān)于DB3幾個參數(shù)的說明一、VBO—最大轉(zhuǎn)折電壓,即DB3在導(dǎo)通前可以施加在兩端的最大電壓.作為本器件最重要的一項(xiàng)參數(shù),VBO是電路設(shè)計(jì)人員首要考慮的問題.在不同的電路中對VBO的要求也是不一樣的,舉例說明:A)圖2的調(diào)光燈電路的工作原理為:打開開關(guān)K,即開始了對電容C的充電,當(dāng)電容C上的電壓達(dá)到2CTS(DB3)的最大轉(zhuǎn)折電壓VBO后,DB3迅速導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻區(qū),電容上的電能通過DB3對電阻R2放電,形成電壓,則觸發(fā)可控硅3CT進(jìn)入導(dǎo)通.電容C上的充電速度取決于時間常數(shù)T,T=(R+W)*C,所以改變W的電阻值,即可改變觸發(fā)可控硅早晚,即改變其導(dǎo)通角.VBO的大小同樣也影響導(dǎo)通角.故在此電路中對VBO的對稱性要求應(yīng)該要高一些.B)圖3是典型的節(jié)能燈電路:當(dāng)電容C2上的電壓充至DB3的最大轉(zhuǎn)折電壓VBO時,DB3迅速導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻區(qū),電容上的電能通過DB3、V2的發(fā)射結(jié)對電阻放電,將V2迅速帶入飽和狀態(tài),并將燈管點(diǎn)亮.值得注意的是,由于V1、V2的振蕩頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電容C2的充電時間常數(shù),所以在電路此后的工作中電容C2上的電壓被二極管1N4007瀉放,即DB3將不再參加其中的工作.C)兩個電路比較:對于圖2電路,由于DB3在使用時是不分極性的,所以對于對稱性的概念其實(shí)就是一個整批一致性的概念.VBO的大小和對稱性將影響著可控硅的導(dǎo)通角,影響著整批電路的一致性.對于圖3電路來說,需要的僅僅是一個有效的觸發(fā)脈沖,而DB3的VBO大小對電路的工作并無直接影響.二、IBO和IB—分別為和VBO和VBO/2下的漏電流:在以上兩個電路中IBO和IB都影響著電容C上的充電速度以及能否成功觸發(fā)DB3.若兩項(xiàng)漏電流都較大,則電容在充電的同時電能也被漸進(jìn)地瀉放,造成的結(jié)果是充電時間加長了數(shù)倍或根本不能超越VBO.所以對IBO和的IB的要求應(yīng)該是越小越好.三、ΔV—電壓回差:在DB3以恒定電流IF導(dǎo)通后的壓降VF和VBO的差值,即VBO-VF.由于在以上兩個電路中均有電容對回路中的電阻進(jìn)行放電,而放電電流的大小和脈沖的波形則為成功出發(fā)后面電路的關(guān)鍵所在.由于各公司DB3的生產(chǎn)工藝不同,所以其在電路中的觸發(fā)波形也相差很大.我們用美國Tektronix公司的TDS3012B型示波器捕捉了圖3中V2發(fā)射極的電壓,便可以清楚地看到不同的DB3觸發(fā)電流波形圖.圖4為選用我公司JFDB3,其中ΔV1=7V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形.圖5為選用我公司JFDB3,其中ΔV1=2V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形.圖6、圖7為選用其他公司××DB3,其中ΔV1=6V(IF1=0.5mA)的觸發(fā)電流波形. 由四個圖比較可以看出JFDB3的波形比較大,而且上升時間很短約100ns,而其他產(chǎn)品則波形平坦,上升時間約200ns.兩種波形比較的話,平坦的、上升時間長的不易觸發(fā),反之則易欲觸發(fā).再拿我公司的兩種來比較,由圖可以看出:其中ΔV1的差異并不能明顯改變波形的形狀和大小.主要是我公司的JFDB3經(jīng)過工藝改進(jìn)后將上升時間T大幅度縮小,從而削弱了ΔV1對觸發(fā)波形的影響.若上升時間T過大,則波形的高度不能保證,不易觸發(fā),只有通過增加ΔV1和ΔV2來保證.我們在工藝上減小了T提高了ΔV2,使得觸發(fā)更加容易,實(shí)踐證明采用新工藝后ΔV2>2V便可以成功觸發(fā)節(jié)能燈電路.四、國際通用的DB3參數(shù)標(biāo)準(zhǔn):項(xiàng)目參數(shù)值測試條件VBO32±4V│+VBO│-│-VBO│3VIBO100μAIB10μAVBO/2│±ΔV│>5VTr
說的好.可是產(chǎn)品批次的一致性不好的話,不是也麻煩,呵呵
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