devinguu：
奇妙大師。這個帖子放著好久了一直沒有結(jié)題。后來嘗試著研究了一下高電壓輸入情況下開關(guān)電源的功率損耗情況。經(jīng)過測試對比發(fā)現(xiàn)，在高電壓輸入情況下，MOSFET的Coss參數(shù)影響非常大，可以說是影響高壓輸入情況下電源效率的主要影響因素。Pcoss=0.5*fs*Coss*Vds2 ， 很明顯，Pcoss（開關(guān)損耗的一部分）在高壓下的影響是不容小覷的，且輸入電壓越大，Pcoss對效率的影響越為明顯。針對本帖原有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，上管MOSFET的應(yīng)選用具有比較小的Coss的MOS。但鑒于高壓mos的Coss都比較接近，可以通過2個稍低耐壓的MOS通過串聯(lián)的方式進(jìn)行減小等效Coss。