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反激最大可以做到250W。難點(diǎn)是初級的MOSFET，RCD吸收，次級的整流管溫升。當(dāng)瓦數(shù)大時(shí)，性能比不上LLC，況且LLC越來越穩(wěn)定，效率也高。故反激250W沒有優(yōu)勢，溫升很難處理。

問題解決了沒？

可以找當(dāng)?shù)氐拇砩袒蛘逨AE來支持，請問下你是哪里的？

檢查下變壓器繞組的極性，同名端和異名端對不對

帶載能帶的動(dòng)不？

發(fā)完貼，問題有解決的話，可以分享出來。一直掛著，就像問了個(gè)問題，大家好心幫忙解決，結(jié)果問題人不見了，留下蒙的吃瓜群眾

工頻紋波跑出來了，濾下波

你好，PI的InnoSwitch3系列不是所有的型號都是PowiGaN產(chǎn)品，Size8以下的不是GaN，Size9和Size10是PowiGaN。SC1933和SC1936和Innoswitch3是同一系列的產(chǎn)品，內(nèi)部是集成GaN，相當(dāng)于InnoSwitch3-CP系列Size9和Size10的產(chǎn)品。希望對你有幫助，謝謝。

測試下初級側(cè)MOS的Ilimit電流值是不是在規(guī)格范圍內(nèi)，驗(yàn)證下開關(guān)波形，是不是打滿波形了。

10.3現(xiàn)在有點(diǎn)問題，我手頭上有10.2，我傳給你下。