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muyefei：
IGBT比MOS管的壓降要小很多？可以替代MOS管？以低壓內(nèi)阻1mR的mos管為例，電流100A時(shí)，mos管壓降0.1V，IGBT壓降2V電流10A時(shí)，MOS管壓降0.01V，IGBT壓降2V電流1A時(shí)，MOS管壓降0.001V,IGBT壓降2V到底哪個(gè)能打？到底哪個(gè)壓降要低？IGBT總在耐壓高的地方，mosfet總在低壓的地方，2V/2mR=1000A所以在1000A以下，感覺(jué)低壓還是mosfet的天下吧?
2023-09-01 22:45 回復(fù)
原帖：IGBT與MOSFET，同樣的耐壓，電流等級(jí)情況下，導(dǎo)通的壓降IGBT小很多？
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