MOSFET是一種通過柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導(dǎo)體器件，其重要參數(shù)包括閾值電壓、漏極電流、導(dǎo)通阻抗等，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域。

其實(shí)額定的參數(shù)都只能是參考。

在不同情況下，額定范圍內(nèi)工作也會損壞。

電壓越高，導(dǎo)通電阻越小

這個(gè)是模擬電路的基礎(chǔ)知識了，希望能再重溫一下吧。謝謝樓主的分享。

每一個(gè)參數(shù)對電路的影響都不小

MOSFET的熱阻一般通過熱等效電路模型（如部分分式模型或連分?jǐn)?shù)模型）對測量結(jié)果進(jìn)行分析和建模

感謝分享，學(xué)習(xí)到了

這個(gè)MOS管的信號傳輸曲線是怎么樣發(fā)生變化

當(dāng)MOSFET工作于高頻開關(guān)狀態(tài)時(shí)，如何量化評估導(dǎo)通損耗（Rds(on)）與開關(guān)損耗（Qg）之間的權(quán)衡關(guān)系

熱穩(wěn)定性優(yōu)異‌，可耐受1300℃高溫（砷化鎵僅600℃），高溫下仍能高效運(yùn)行。