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1.需根據(jù)VCC電流選擇合適的限流電阻以及基極驅(qū)動電流。2.需要計算三極管的損耗，看三極管選擇的尺寸和熱阻是否合適，需要計算溫升是否滿足要求。 3.如果實際VCC需求電流較大，需要增加額外的輔助電路，從變壓器輔助繞組供電，給VCC供電。啟動是，VCC通過輸入經(jīng)三極管供電，正常工作后，由輔助電源供電，三極管截止不工作。

1.首先，你的輸入電壓很寬，輸出電流比較大，合適的拓撲可能有：1：升壓到750V（800V直通）或者直接升壓到850V+有源鉗位正激，成本高，PCB面積大。2：反激，輸出采用肖特基二極管并聯(lián)。成本小，PCB面積小。MOSFET需要選擇1000-1200V左右。

1.Q3,Q12是ORing兩個管子，主要是用來防止倒灌和防反接。大功率器件二極管損耗太大了。 2.Q4是防浪涌MOSFET。主要是用于開機瞬間，輸入電容充電走RT電阻，等充電到一定程度后，打開Q4，短路掉RT1，RT2。

1.看著像是地彈噪聲。另外，這個應(yīng)該是線間的，所以可以增加MLCC電容試試，10uf，1uf，0.1uf試試。2.輸出二極管上RCD增大試試。 3.不確定是否是原邊變壓器耦合導致的，可以嘗試在變壓器兩端增加一個1000pf電容試試。 4.另外PCB走線，變壓器輸出，二極管，輸出電容的環(huán)路盡量小，另外輸出功率地線夠粗。如果紋波小于3%，受電端和EMI都可以接受，可以不管這個噪聲。

1.降低變壓器漏感，這個是最重要的。2.降低VOR電壓，選擇合適的匝比，不過從圖上看，平臺電壓也不高。所以這條改善不大。3.增加輸出緩啟動，但是不管多慢的緩啟動，啟動Vds肯定大于正常工作的Vds電壓。4.加重原邊MOSFET吸收電路，但是會犧牲效率。5.增大原邊MOSFET驅(qū)動電阻，但是也會犧牲效率。6.增大環(huán)路響應(yīng)速度，另外也要確人正常工作環(huán)路穩(wěn)定性。 7.另外300W的反激，原邊MOSFET內(nèi)的峰值電流太大了，漏感中儲存的能量太高，如果可以，最好換個拓撲結(jié)構(gòu)。一般150W以下選擇反激會合適點。

應(yīng)該是偶爾有異常情況會丟失吧，因為現(xiàn)在有瞬間掉電系統(tǒng)不重啟的要求，比如10ms掉電要維持系統(tǒng)正常工作，以前是20ms，最新標準好像改成10ms了。這些都是針對用電設(shè)備的電源來說的。但是這個可能不是單純的指負半周掉電，只是這種可能是最惡劣的情況。至于原因肯能要從供電系統(tǒng)那面來看了

是的，普通瓷片電容是不能做安規(guī)電容來用的，這種產(chǎn)品過不了UL，和3C，估計只是低端山寨產(chǎn)品吧。不符合市場準入的

這個距離是有要求的，對于多層板高壓區(qū)域，層和層之間的耐壓，同層之間的耐壓，內(nèi)層和外層走線的耐壓都有設(shè)計要求，不然高壓測試不通過，或者長期工作容易放電導致器件損壞。層和層之間取決于填充材料及厚度，另外外層還要考慮海拔的要求

有關(guān)系，要根據(jù)瞬間成熟的浪涌電流來評估需要多大的線寬，不然打雷擊的時候容易把線燒壞，另外等效阻抗大也會影響浪涌保護性能

我的理解是電阻的尺寸跟耐壓以及耐受功率，工藝都有關(guān)系。關(guān)于間距可以參考UL60950-1或者IPC9592