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我用的是外加diode,Qrr:57nC,Trr:51nS.(1000WClassDamp).相比:irfs23n15d:Qrr:800nC,Trr:150nS.另,你如何得出6個點(diǎn)的?

請教幾個問題:1.不知道你的設(shè)計(jì)低頻響應(yīng)(10-30hz)如何,低音時c20能提供足夠的電荷嗎?2.你如何估算Rg1,Rg2的值?3．L1的core用的是什么材料?工作時溫度是多少?L1的電感是連如何確定?4．測過輸出端的傳導(dǎo)輻射值嗎?建議加一級高頻LPF.5．圖中的邏輯門U2a-2d是整形電路,我不太理解,能否解釋一下?6．此放大器的效率是多少?

其實(shí),classD的mosfet沒有什莫特別的.只須注意以下幾點(diǎn):1.最大Vds2.最大Ids(25度和100度)3.Rdson4.Qg,Qdg,Qgs

謝謝,已經(jīng)記下

雷兄：IR2110的問題解決了嗎？