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好的，我驗(yàn)證下

是的，用mosfet做測試，實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本正常，最高效率95.7%，滿載效率95.2%；但是諧振電流波形有一點(diǎn)尖峰，（這個(gè)應(yīng)該是變壓器的寄生電容引起的，之前尖峰更嚴(yán)重，改進(jìn)過繞組結(jié)構(gòu)后，好多了，如圖為mosfet測試，半載時(shí)的諧振電流波形）[圖片]附上GaN的驅(qū)動(dòng)電路圖，以供參考：[圖片]

第一張圖里100V輸入時(shí)有輕微的重疊，再第二張圖里200V輸入時(shí)就完全實(shí)現(xiàn)了ZVS的，這兩張圖死區(qū)是80nS；之前測試過死區(qū)120nS的，結(jié)果一樣，炸機(jī)

之前用mosfet做測試的時(shí)候，死區(qū)時(shí)間為120nS時(shí)，400V輸入，1A負(fù)載電流時(shí)是可以實(shí)現(xiàn)ZVS的，換用GAN之后，實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象同文首描述一樣

GAN沒有體二極管，但在死區(qū)時(shí)間內(nèi)，由于GAN自身的二極管特性，是可以實(shí)現(xiàn)續(xù)流的；死區(qū)時(shí)間之前用的是120nS，后來改成80nS，兩個(gè)死區(qū)時(shí)間都能實(shí)現(xiàn)ZVS，且現(xiàn)象一樣，應(yīng)該不是這個(gè)問題吧。

沒有用負(fù)壓，正電壓6.1V，應(yīng)該不是上下橋臂直通吧，總感覺諧振電流波形的變化很怪異。

謝謝您的意見，用的是GaNsystems公司的GS66502B管子，管子內(nèi)部沒有反并二極管，沒有反向回復(fù)，但具有二極管特性。