性无码一区二区三区在线观看,少妇被爽到高潮在线观看,午夜精品一区二区三区,无码中文字幕人妻在线一区二区三区,无码精品国产一区二区三区免费

  • 回復
  • 收藏
  • 點贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

用GaN做LLC，諧振電流波形異常，出現炸機

半橋LLC諧振變換器，副邊用全波整流。額定參數：輸入400V，輸出48V，諧振頻率200KHZ，功率400W，勵磁電感190uH，諧振電感16.6uH（考慮變壓器漏感4.6uH），諧振電容38nF，死區(qū)80nS;

保持負載電流為1A，開環(huán)定頻工作，逐漸增大輸入電壓，輸入電壓為100V時，波形如圖1，驅動波形和管子DS端電壓沒有震蕩，諧振電流波形基本正常；

IMG_20190603_090757

輸入電壓增大到200V，驅動波形和管子DS端電壓仍然沒有震蕩，但諧振電流波形出現明顯不規(guī)則現象；繼續(xù)增大輸入電壓，諧振電流波形不規(guī)則更加明顯，出現炸機。

IMG_20190603_090841

用mosfet做測試，實驗結果基本正常，換用GAN測試，出現這些問題，第一次用GAN ，求大俠們賜教。

全部回復(19)
正序查看
倒序查看
2019-06-04 10:51

比較高大上，沒用過GaN，給出的這些信息不錯。

看你的波形圖，比較符合一種情況，就是這顆GaN的內部沒有并聯的二極管或并聯的二極管能力不足。具體要看這個GaN的型號。

外面另外再并聯一顆快恢復二極管就沒問題了。需要一個續(xù)流通道。

0
回復
2019-06-04 11:07
@米山人家
比較高大上，沒用過GaN，給出的這些信息不錯?？茨愕牟ㄐ螆D，比較符合一種情況，就是這顆GaN的內部沒有并聯的二極管或并聯的二極管能力不足。具體要看這個GaN的型號。外面另外再并聯一顆快恢復二極管就沒問題了。需要一個續(xù)流通道。
謝謝您的意見，用的是GaN systems公司的GS66502B管子，管子內部沒有反并二極管，沒有反向回復，但具有二極管特性。
0
回復
shao456
LV.6
4
2019-06-04 12:58
@白白白白
謝謝您的意見，用的是GaNsystems公司的GS66502B管子，管子內部沒有反并二極管，沒有反向回復，但具有二極管特性。
驅動電壓有負的嗎
0
回復
2019-06-04 14:17
@shao456
驅動電壓有負的嗎
沒有用負壓，正電壓6.1V，應該不是上下橋臂直通吧，總感覺諧振電流波形的變化很怪異。
0
回復
shao456
LV.6
6
2019-06-04 15:13
@白白白白
沒有用負壓，正電壓6.1V，應該不是上下橋臂直通吧，總感覺諧振電流波形的變化很怪異。

1、LLC拓撲需要MOS管在關斷期間由二極管來續(xù)流，否則無法實現ZVS，氮化鎵MOS沒有體二極管，故要外接二極管

2、我看你的死區(qū)好像有點小，是否經過計算驗證？

0
回復
2019-06-04 15:46
@shao456
1、LLC拓撲需要MOS管在關斷期間由二極管來續(xù)流，否則無法實現ZVS，氮化鎵MOS沒有體二極管，故要外接二極管2、我看你的死區(qū)好像有點小，是否經過計算驗證？

GAN沒有體二極管，但在死區(qū)時間內，由于GAN自身的二極管特性，是可以實現續(xù)流的；

死區(qū)時間之前用的是120nS，后來改成80nS，兩個死區(qū)時間都能實現ZVS，且現象一樣，應該不是這個問題吧。

0
回復
shao456
LV.6
8
2019-06-04 15:55
@白白白白
GAN沒有體二極管，但在死區(qū)時間內，由于GAN自身的二極管特性，是可以實現續(xù)流的；死區(qū)時間之前用的是120nS，后來改成80nS，兩個死區(qū)時間都能實現ZVS，且現象一樣，應該不是這個問題吧。
死區(qū)時間：要保證在最大輸入電壓、空載下，LLC可實現ZVS，低壓輸入時實現ZVS不一定高壓時也ZVS，建議先調大，最后沒有問題再回調。
0
回復
2019-06-04 16:06
@shao456
死區(qū)時間：要保證在最大輸入電壓、空載下，LLC可實現ZVS，低壓輸入時實現ZVS不一定高壓時也ZVS，建議先調大，最后沒有問題再回調。
之前用mosfet做測試的時候，死區(qū)時間為120nS時，400V輸入，1A負載電流時是可以實現ZVS的，換用GAN之后，實驗現象同文首描述一樣
0
回復
2019-06-05 10:51
@白白白白
之前用mosfet做測試的時候，死區(qū)時間為120nS時，400V輸入，1A負載電流時是可以實現ZVS的，換用GAN之后，實驗現象同文首描述一樣

樓主的GS和DS波形有重疊，不能完全算ZVS，

建議把死區(qū)時間調大

0
回復
shao456
LV.6
11
2019-06-05 11:11
同樣的電路，用MOS做沒有問題，換成GaN就不行了嗎？其他有沒有不一樣的？
0
回復
yujunice
LV.5
12
2019-06-05 11:40
@shao456
同樣的電路，用MOS做沒有問題，換成GaN就不行了嗎？其他有沒有不一樣的？

死區(qū)時間之前用的是120nS，后來改成80nS，兩個死區(qū)時間都能實現ZVS，且現象一樣，應該不是這個問題吧。GAN沒有體二極管，但在死區(qū)時間內，由于GAN自身的二極管特性，是可以實現續(xù)流的；

0
回復
2019-06-05 15:44
@水鄉(xiāng)電源
樓主的GS和DS波形有重疊，不能完全算ZVS，建議把死區(qū)時間調大
第一張圖里100V輸入時有輕微的重疊，再第二張圖里200V輸入時就完全實現了ZVS的，這兩張圖死區(qū)是80nS；之前測試過死區(qū)120nS的，結果一樣，炸機
0
回復
2019-06-05 16:00
@shao456
同樣的電路，用MOS做沒有問題，換成GaN就不行了嗎？其他有沒有不一樣的？

是的，用mosfet做測試，實驗結果基本正常，最高效率95.7%，滿載效率95.2%；但是諧振電流波形有一點尖峰，（這個應該是變壓器的寄生電容引起的，之前尖峰更嚴重，改進過繞組結構后，好多了，如圖為mosfet測試，半載時的諧振電流波形）

附上GaN的驅動電路圖，以供參考：

0
回復
shao456
LV.6
15
2019-06-05 16:49
@白白白白
是的，用mosfet做測試，實驗結果基本正常，最高效率95.7%，滿載效率95.2%；但是諧振電流波形有一點尖峰，（這個應該是變壓器的寄生電容引起的，之前尖峰更嚴重，改進過繞組結構后，好多了，如圖為mosfet測試，半載時的諧振電流波形）[圖片]附上GaN的驅動電路圖，以供參考：[圖片]
GaN的器件我沒有用過，建議同時觀測同一MOS的Vgs和Ids波形，要確定沒有進入容性區(qū)，我看你的諧振電容的相位好像不太對。
0
回復
2019-06-05 17:33
@shao456
GaN的器件我沒有用過，建議同時觀測同一MOS的Vgs和Ids波形，要確定沒有進入容性區(qū)，我看你的諧振電容的相位好像不太對。
好的，我驗證下
0
回復
2019-06-14 14:08
@shao456
GaN的器件我沒有用過，建議同時觀測同一MOS的Vgs和Ids波形，要確定沒有進入容性區(qū)，我看你的諧振電容的相位好像不太對。
我覺得已經進入容性區(qū)，現在圖形看開關頻率--低于諧振頻率，你把頻率調高一點試試。
0
回復
傲然
LV.1
18
2019-11-21 00:15
死區(qū)時間過小120ns比較合適，還有就是你的GAN器件沒有設計負壓關斷
0
回復
傲然
LV.1
19
2019-11-21 00:25
還有就是你的諧振參數匹配的不是很合理。GAN器件GS放電電阻選10K太大，建議3.3K。感覺諧振參數匹配的不是很合適。我近期剛做完這個基于GAN半橋的一個比賽，基本要求和你的電路基本一樣。
0
回復
EWARD
LV.1
20
2020-03-09 10:43
版主，問題有解決嗎？我也遇到同樣的問題，我的在100V都有異常，有人給我的建議：重新布線和諧振腔設計不合理。版主的問題解決了嗎？
0
回復
立
即
發(fā)
帖