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RCD中的D一般用快管（EMI會好一些），適當加大RCD中的C效率會加大一些，通過與D串聯(lián)電阻來吸收震蕩改善EMI，減小R會使效率降低一些但同時也會減小MOS應力。不知道這樣總結對不對，望指點。