做電源的小伙伴，對吸收線路可能很熟悉，適當(dāng)?shù)奈掌骷ΧO管，三極管的電壓電流應(yīng)力，EMI等都有幫助，常見的吸收線路有C，RC，RCD等，本文詳細(xì)的講解下RCD的原理和對應(yīng)力的幫助
如圖1是反激電源里面常見的RCD吸收線路，我們先裝參數(shù)R1=100K C1=102 D1是快管，Trr是50ns
圖1
用示波器測量Q1 MOS的波形如圖2所示，其中通道1是VDS電壓，通道3是電容C1的電壓，可以看到MOS VDS電壓有很多震蕩，震蕩的原因是變壓器的漏感Lk和MOS的寄生電容在震蕩
圖2
我們將D1二極管更換為慢管，Trr是1us 波形如圖3，尖峰處的震蕩減小了，原因是D1使用慢恢復(fù)的二極管之后VDS電壓達(dá)到最大值之后，二極管并沒有關(guān)斷，這個時候漏感Lk，主感Lp，R1, C1形成一個阻尼震蕩，吸收了能量
我們也可以通過C1電容的波形來看，當(dāng)二極管用慢管的時候，C1電容出現(xiàn)2個震蕩，說明C1參與上面所示的阻尼震蕩，如果二極管已經(jīng)關(guān)斷，那就會像圖2快管C1電壓波形一樣，只有一個電壓尖峰，因為關(guān)斷后沒有回路可以震蕩，所以一般對策EMI時候，將二極管換成快管是一個方法，但是帶來的問題就是二極管的損耗增加，二極管本體溫度過高，以及效率降低；
圖3
也有線路會增加一個R2，如圖4，我們嘗試將R2為100歐姆，電壓波形如圖5，震蕩基本沒有了，說明在二極管反向截止的這塊時間，震蕩通過R2吸收了，電壓震蕩越小，EMI是越好的，所以有些線路通過增加R2來改善EMI
圖5
另外一般我們調(diào)試RCD的時候，普遍認(rèn)為RC過大，會減小效率，那實際是怎么樣的呢？將R1還是100K，C1從102修改為472，對比圖6，C1是102，圖7，C1是472，發(fā)現(xiàn)效率增加了一些，通過電容C1的波形來看，應(yīng)該是C1的電容太大，放電太慢導(dǎo)致
因為次級反射的電壓大概是90V，當(dāng)C1是102的時候，二極管關(guān)斷后C1的電壓通過R1放電很快降到90V，所以在次級二極管續(xù)流的階段，次級繞組對初級放射電壓是通過R1消耗功率的，但是C1是472時候，二極管關(guān)斷后電壓還是大于90V,說明在次級續(xù)流的階段，繞組沒有在R1消耗功率，所以效率稍高一些
圖6
圖7
如果繼續(xù)減小R1，R1=10K，效率降低了0.5%，但是VDS電壓下降了，通過圖8，C1波形可以看出C1的電壓通過R1放電很低，所以下一階段電壓也低，如果VDS電壓比較高，快接近MOS的規(guī)格，可以通過此方法減小應(yīng)力
圖8
