IIC-China2011春季展在全球最具規(guī)模的IC市場(chǎng)——深圳召開，2月24日電源網(wǎng)記者團(tuán)一行四人深入到IIC現(xiàn)場(chǎng)，穿梭在各個(gè)展臺(tái)帶給您最深度的報(bào)道。國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱 IR，紐約證交所代號(hào) IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國(guó)際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

IR攜業(yè)領(lǐng)先的節(jié)能電源管理解決方案參展第十六屆國(guó)際集成電路研討會(huì)暨展覽會(huì)（IIC-China 2011）。在本屆展會(huì)上，IIC的工程師和銷售人員在深圳會(huì)展中心19號(hào)展臺(tái)上展示IR最新的節(jié)能和高功率密度的技術(shù)與產(chǎn)品。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“我們很高興能借此行業(yè)盛事之機(jī)，與工程師分享我們的節(jié)能電源管理解決方案，涵蓋IC和分立產(chǎn)品組合到技術(shù)平臺(tái)，更包括能夠?qū)崿F(xiàn)95%的效率、降低噪聲和簡(jiǎn)化機(jī)械構(gòu)造的iMOTION?電機(jī)控制平臺(tái)?！?br />

另外，IR在此次展會(huì)上展示適合各種應(yīng)用的最新解決方案，包括汽車、照明、D類音頻和電機(jī)控制等應(yīng)用。所展示的產(chǎn)品和平臺(tái)包括適合AC-DC電源的最新SmartRectifier? IC、DirectFET? MOSFET芯片組、SupIRBuck? 系列集成式穩(wěn)壓器、基準(zhǔn)MOSFET和IGBT、適用于變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的iMOTION? 集成設(shè)計(jì)平臺(tái)，以及氮化鎵功率器件平臺(tái)GaNpowIR?。

以下是IR公司的某某經(jīng)理接受電源網(wǎng)采訪，

貴公司擴(kuò)大包括邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)器件在內(nèi)的40V至100V汽車專用MOSFET系列，請(qǐng)您簡(jiǎn)單談?wù)勂渲饕厣?br />

IR宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。

經(jīng)過(guò)優(yōu)化的新型車用 MOSFET 系列在 55V 電壓下可提供低至8 mΩ 的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）。此外，邏輯電平 MOSFET 器件簡(jiǎn)化了柵極驅(qū)動(dòng)需求，同時(shí)減少了電路板占用空間和元件數(shù)量。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“我們擴(kuò)充后的包括邏輯電平器件在內(nèi)的車用MOSFET 系列，為客戶在選擇符合其設(shè)計(jì)要求的電壓、封裝和功能方面提供了更好的選擇，而 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的硅技術(shù)更為客戶提供了保證?！?/p>

新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 溝道技術(shù)開發(fā)。所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過(guò)1, 000 次溫度循環(huán)測(cè)試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過(guò) 20%。然而，經(jīng)過(guò)延長(zhǎng)測(cè)試后，IR 的新款A(yù)U 材料在 5,000 次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化只有 12%，體現(xiàn)了這款材料的高強(qiáng)度和耐用性。

新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。

IR 推出新型DirectFETplus 功率MOSFET 系列，可將DC-DC 開關(guān)應(yīng)用效率提升2%,此款產(chǎn)品的主要特點(diǎn)？

IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技術(shù)，可為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率，這些應(yīng)用包括新一代服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦。

IRF6811 和IRF6894 是新系列DirectFETplus 的首批器件，比上一代器件減少了導(dǎo)通電阻 (RDS (on) ) 和柵極電荷 (Qg) ，使其效率大幅提高2%。此外，這些器件具有超低柵極電阻 (Rg) ，通過(guò)把DC-DC 轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗降至最低來(lái)進(jìn)一步提高效率。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新款I(lǐng)RF6811 和IRF6894 芯片組利用IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)，并采用IR 的新一代硅技術(shù)來(lái)優(yōu)化關(guān)鍵的 MOSFET 參數(shù)，為下一代計(jì)算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空間小的最佳解決方案。”

IRF6811 控制MOSFET 及IRF6894 同步MOSFET 分別以小罐及中罐供貨。25V DirectFETplus 組件結(jié)合了業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻和柵極電荷以及低電荷，將傳導(dǎo)和開關(guān)損耗降到最低。IRF6894 還設(shè)有集成式單片肖特基二極管，可降低由體二極管傳導(dǎo)和反向恢復(fù)導(dǎo)致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET 與上一代器件的占位面積兼容。新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS).