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飛兆半導體的 100V BoostPak 解決方案提高了可靠性

2013-06-06 10:58 來源:電源網(wǎng) 編輯:兔子

飛兆半導體公司是高性能功率半導體和移動半導體解決方案的全球領(lǐng)先供應商,通過引入 100 V BoostPak 設備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程,將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內(nèi),代替LED電視 / 顯示器背光、LED照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應用中目前使用的分立式解決方案。通過將 MOSFET 和二極管集成到一個獨立封裝內(nèi),F(xiàn)DD1600N10ALZD和FDD850N10LD設備節(jié)省了電路板空間,簡化了裝配,降低了材料清單成本并改進了應用的可靠性。

該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導體 PowerTrench?工藝生產(chǎn),這一先進工藝專用于最小化導通電阻,同時保持卓越的開關(guān)性能。 NP二極管為超快速整流器,帶低正向?qū)▔航?,具有出色的開關(guān)性能。 與肖特基二極管相比,其泄漏電流更低,改進了高溫應用中的系統(tǒng)可靠性。

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降低了LED應用中的系統(tǒng)成本,集成解決方案將 MOSFET 和二極管置于一個封裝內(nèi),簡化了電路板裝配并節(jié)省了空間

主要功能:

FDD1600N10ALZD:

RDS(ON) = 124 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 3.4 A

RDS(ON) = 175 mΩ(典型值)@ VGS = 5 V,ID = 2.1 A

低柵極電荷 = 2.78 nC(典型值)

低反向電容 (Crss) = 2.04 pF(典型值)

FDD850N10LD:

RDS(ON) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 12 A

RDS(ON) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V,ID = 12 A

低柵極電荷 = 22.2 nC(典型值)

低反向電容 (Crss) = 42 pF(典型值)


都有:

快速開關(guān)

100%經(jīng)過雪崩測試

可提高dv/dt處理能力

符合 RoHS 標準

報價:(訂購 1,000 個)

FDD1600N10ALZD的價格為0.49美元。

FDD850N10LD的價格為0.57美元

可供貨期: 按請求提供樣品。

交貨期: 收到訂單后 8-12 周內(nèi)

飛兆半導體為所有電視和顯示器應用,包括PDP 電視、LCD 電視和顯示器,以及LED 電視和顯示器提供功率和背光解決方案。 專為小空間應用設計的規(guī)格幫助設計師使其產(chǎn)品脫穎而出,同時還可提供較高的功率密度并維持高度可靠性。

飛兆半導體公司簡介

美國飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor;紐約證券交易所代號:FCS) - 全球營運、本地支持、創(chuàng)新觀念。飛兆半導體專為功率及便攜設計提供高能效、易于應用及高增值的半導體解決方案。我們幫助客戶開發(fā)差異化的產(chǎn)品,并以我們在功率和信號路徑產(chǎn)品上的專業(yè)知識解決他們遇到的困難技術(shù)挑戰(zhàn)。查詢更多信息,請訪問網(wǎng)站:www.fairchildsemi.com。

聲明:本內(nèi)容為作者獨立觀點,不代表電源網(wǎng)。本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容,如需轉(zhuǎn)載,請注明出處;本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容(文章、圖片、視頻)等資料版權(quán)歸原作者所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片,未能及時和您確認,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,請電郵聯(lián)系我們,以便迅速采取適當處理措施;歡迎投稿,郵箱∶editor@netbroad.com。

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