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三星在八英寸硅基板上成功試制常閉型GaN功率元件

2013-06-09 11:31 來源:電源網(wǎng) 編輯:云際

三星電子在直徑為8英寸(200mm)的硅基板上,試制出了為柵極加載正電壓就會(huì)導(dǎo)通的“常閉工作型”GaN功率元件,該元件使用的硅基板的直徑一般為6英寸。將直徑增大到8英寸后,可以提高生產(chǎn)效率,削減成本。

GaN功率元件采用的是由GaN和AlGaN構(gòu)成的“HEMT構(gòu)造”。在這種構(gòu)造下,GaN與AlGaN的接合部會(huì)產(chǎn)生二維電子氣,難以實(shí)現(xiàn)常閉工作。但出于安全性考慮,非常需要電源電路為常閉工作方式。為此,三星在柵極部分設(shè)置了p型GaN層,從而實(shí)現(xiàn)了常閉工作。

GaN功率元件耐壓為670V、閾值電壓為2.8V。此外,封裝在TO-220封裝中的GaN功率元件,其耐壓為850V,閾值電壓為3.3V,但未公布芯片尺寸,柵極寬度為100μm。

另外,關(guān)于常閉工作型GaN功率元件的用途,三星方面表示“可考慮用于白色家電”。

標(biāo)簽: 三星 硅基板 GaN功率元件

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