日前，Vishay宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性，比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能，定義更多的真實條件以提高仿真精度和設(shè)計靈活性，減輕對用戶使用經(jīng)驗的要求。

用于功率MOSFET的免費在線仿真工具

其他熱仿真工具只能進(jìn)行封裝級的仿真，而ThermaSim使用有限元分析(FEA)技術(shù)來提高精度。這款免費在線工具在高電流、高溫應(yīng)用中特別有用，例如汽車、固網(wǎng)通信、桌面和筆記本電腦，以及工業(yè)系統(tǒng)。最新版本的仿真工具還非常適合裕量小的設(shè)計，以及會受UIS(未鉗位的電感開關(guān))和汽車拋負(fù)載等瞬態(tài)情況影響的應(yīng)用。

ThermaSim可幫助設(shè)計者在產(chǎn)品原型前對Vishay Siliconix的功率MOSFET、IC和DrMOS產(chǎn)品進(jìn)行詳盡的熱仿真，從而縮短上市時間。對于高可信設(shè)計，ThermaSim 3.0在很多方面提供了大量新的和改進(jìn)的功能。

瞬態(tài)熱仿真(僅對MOSFET)

對仿真的功率耗散數(shù)據(jù)進(jìn)行時間縮放(最大1000級)，提高設(shè)計可靠性。這種方法可以在仿真曲線的時間段上的多個位置進(jìn)行縮放，對高功率脈沖(kW級)及持續(xù)時間短(≥1ns)的情況特別有用。此外，工具能夠以最初MOSFET裸片面積的10%、15%或25%作為散熱區(qū)，以便對低柵極驅(qū)動和漏源電壓尖峰等情況進(jìn)行更好的分析。

改善用戶體驗

為節(jié)省時間和消除可能的數(shù)據(jù)錄入錯誤，ThermaSim 3.0允許用戶上傳Excel格式的功率曲線數(shù)據(jù)包，可根據(jù)需要的次數(shù)反復(fù)上傳數(shù)據(jù)包，當(dāng)需要的時候用戶之間可交換仿真結(jié)果和整個設(shè)計的副本。另外，強大的工具用圖形顯示的方式在PCB上擺放元器件。

根據(jù)“真實條件”進(jìn)行仿真

用戶甚至可以定義更多的條件，包括在頂層和底層PCB板上的銅擴散，焊錫厚度，焊點質(zhì)量，氣隙，膠/隔離層的厚度，以及在PCB上或PCB外的導(dǎo)線端接。

高效仿真

異步重新加載和web接口(Ajax)，以及負(fù)載均衡和高網(wǎng)格解析度，能更快得到仿真結(jié)果。