可控硅整流器作為一種重要的元件，在很多電路系統(tǒng)中都是不可缺少的組成部分，而較大容量的可控硅元件能夠保障其安全正常運行。然而，為了使可控硅整流器可靠的工作，還必須加上各種保護，這樣才能有效的防止雷擊、元件損壞、橋臂過熱等問題。本文在這里總結了幾種必備的可控硅保護措施，與大家一起分享。

晶閘管關斷過電壓保護

該種可控硅保護措施，能夠為可控硅整流器提供基礎的安全保障。配備有晶閘管關斷過電壓保護的整流器一旦出現(xiàn)故障，可以防止晶閘管被過電壓擊穿。當整流器發(fā)生故障時，晶閘管從導通到阻斷，線路電感將會釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導通期間載流子充滿元件內(nèi)部，在關斷過程中管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失。這時反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應電勢很大，這個電勢與電源串聯(lián)，反向加在已恢復阻斷的元件上，可導致可控硅反向擊穿，其數(shù)值可達工作電壓的5—6倍。因此，在晶閘管兩端并接阻容吸收電路是十分有必要的。

交流側過電壓保護

在可控硅整流器的保護措施中，交流側過電壓保護措施也是必須具備的重要安全保障之一。由于交流側電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程，此時便會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級，出現(xiàn)瞬時過電壓，很容易對可控硅造成損傷。設置交流側過電壓保護其實并不難操作，工程師僅需在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當電容，就可以有效的減小這種過電壓。

直流側過電壓保護

在可控硅整流器的設計過程中，直流側過電壓保護措施也是必不可少的。因為當負載斷開時或快熔斷時，儲存在變壓器中的磁場能量會產(chǎn)生過電壓，顯然在交流側阻容吸收保護電路可以抑制這種過電壓，但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大，但還不能完全消除。因此，人工設置可控硅保護措施就顯得尤為重要。我們可以采用壓敏吸收進行保護。