可控硅器件是一種較為常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，其被大面積應(yīng)用在電視、空調(diào)、冰箱、電燈等家電領(lǐng)域。因此在可控硅的應(yīng)用過(guò)程中總會(huì)遇到這樣或者那樣的問(wèn)題。由可控硅引起的電路及器件燒毀就是這樣一種常見(jiàn)問(wèn)題，本文就將結(jié)合實(shí)例，為大家講解一種單片機(jī)接通可控硅打火后燒毀的情況。

圖1

圖2

如圖1所示，直流24V是半波整理后阻容降壓所致，之后HT7533轉(zhuǎn)換3V給單片機(jī)來(lái)控制可控硅和繼電器。單片機(jī)控制信號(hào)先打開(kāi)可控硅6ms，之后再打開(kāi)繼電器。那么問(wèn)題來(lái)了，當(dāng)可控硅不焊接時(shí)，單片機(jī)控制繼電器正常，但連接MAC97A后，單片機(jī)接通可控硅后電路打火，單片機(jī)和后端的24V轉(zhuǎn)3V的LDO燒毀，為什么會(huì)這樣呢？

如果在電路中需要使用可控硅，就需要用MOC3022之類(lèi)光耦隔離控制，要求阻容降壓電源正極和交流電源線(xiàn)共線(xiàn)，同時(shí)可控硅A1接在共線(xiàn)上。 反觀案例中的原理圖和PCB，可以看到可控硅的G和T2之間電壓很小，可控硅在焊接之后就將220v引入，因此打火的情況是必然的。

此外不是只在G接控制即可，G的控制是相對(duì)于T2的，但T2已經(jīng)達(dá)到了220v，燒毀是必然的。這里多說(shuō)一句，有的設(shè)計(jì)者很有想法，這樣的方式能夠讓繼電器接通時(shí)有抖動(dòng)，可以避免繼電器抖動(dòng)帶來(lái)的危害，因?yàn)樵诶^電器接通時(shí)，可控硅已經(jīng)打通。

有時(shí)間的朋友可以試試使用過(guò)0觸發(fā)的MOC3041/61/83之類(lèi)來(lái)隔離驅(qū)動(dòng)案例中的可控硅，可能連過(guò)0檢測(cè)都不需要了。

通過(guò)分析，可以看到本例中雙向可控硅燒毀的問(wèn)題是由設(shè)計(jì)和接通錯(cuò)誤造成的。正在學(xué)習(xí)可控硅相關(guān)知識(shí)的朋友可以仔細(xì)閱讀本文，相信一定能從文中找到一些有用的解決方法或知識(shí)點(diǎn)。小編也將繼續(xù)為大家收集整理相關(guān)的有用案例，請(qǐng)大家持續(xù)關(guān)注。