在開關(guān)電源的設計當中，EMI絕對是非常重要的一環(huán)。很多開發(fā)者都在電磁干擾的問題上絞盡腦汁，只為電路能夠順利的通過測試。但是EMI在電路中產(chǎn)生的情況非常復雜，產(chǎn)生的干擾頻率也不盡相同。一些較低的干擾只需一些小小的調(diào)整即可修正，而一些較大的干擾則需要從多方面來入手。本文就將為大家介紹不同開關(guān)電源頻段該用怎樣的處理方法。

1MHZ

1MHZ以內(nèi)，以差模干擾為主。解決方法如下：

①增大X電容量；

②添加差模電感；

③小功率電源可采用PI型濾波器處理（建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些）；

1MHZ-5MHZ

1MHZ-5MHZ，差模共?；旌希捎幂斎攵瞬⒙?lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決：

①對于差模干擾超標可調(diào)整X電容量，添加差模電感器，調(diào)差模電感量；

②對于共模干擾超標可添加共模電感，選用合理的電感量來抑制；

③也可改變整流二極管特性來處理，一對快速二極管如FR107，一對普通整流二極管1N4007。

5MHZ以上

5M以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用；可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔閉環(huán)。處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。

20-30MHZ

①對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；

②調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；

③在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

④改變PCBLAYOUT；

⑤輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；

⑥在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；

⑦在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；

⑧在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。

⑨可以用增大MOS驅(qū)動電阻。

30-50MHZ

30-50MHZ，普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起。解決方法如下：

①可以用增大MOS驅(qū)動電阻；

②RCD緩沖電路采用1N4007慢管；

③VCC供電電壓用1N4007慢管來解決；

④或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；

⑤在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個小吸收電路；

⑥在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；

⑦在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；

⑧PCB心LAYOUT時大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小；

⑨變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小；

50-100MHZ

50-100MHZ，普遍是輸出整流管反向恢復電流引起。解決方法：

①可以在整流管上串磁珠；

②調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；

③可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEADCORE或串接適當?shù)碾娮?span>；

④也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET；鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點）；

⑤增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。

針對200MHZ以上的電源，這類電源基本輻射量很小，一般可過EMI標準。

此外需要大家注意的是，開關(guān)電源高頻變壓器電路通常來說是屏蔽層的。除了其他因素，開關(guān)電源電路板的元器件布局對于EMI抑制的影響也是十分巨大的，所以做好元器件的布局工作也變得十分重要，機械外殼也是電磁干擾是否能通過的關(guān)鍵?？梢钥吹接绊慐MI的因素非常之多，這也是一但出現(xiàn)問題就會令人頭疼的原因。