在電路設(shè)計(jì)初期就對(duì)EMI進(jìn)行抑制是非常有必要的，如在電路板階段就有意識(shí)的進(jìn)行干擾抑制，將有可能避免六成以上的干擾，那么如何在電路板階段進(jìn)行EMI控制呢？本文將為從器件選擇、信號(hào)端子定義、疊層設(shè)計(jì)的角度來為大家講一講這個(gè)問題。

器件選型

在進(jìn)行EMI設(shè)計(jì)時(shí)，首先要考慮選用器件的速率。任何電路，如果把上升時(shí)間為5ns的器件換成上升時(shí)間為2.5ns的器件，EMI會(huì)提高約4倍。EMI的輻射強(qiáng)度與頻率的平方成正比，最高EMI頻率（fknee）也稱為EMI發(fā)射帶寬，它是信號(hào)上升時(shí)間而不是信號(hào)頻率的函數(shù)：fknee=0.35/Tr（其中Tr為器件的信號(hào)上升時(shí)間）。

這種輻射型EMI的頻率范圍為30MHz到幾個(gè)GHz，在這個(gè)頻段上，波長(zhǎng)很短，電路板上即使非常短的布線也可能成為發(fā)射天線。當(dāng)EMI較高時(shí)，電路容易喪失正常的功能。因此，在器件選型上，在保證電路性能要求的前提下，應(yīng)盡量使用低速芯片，采用合適的驅(qū)動(dòng)/接收電路。另外，由于器件的引線管腳都具有寄生電感和寄生電容，因此在高速設(shè)計(jì)中，器件封裝形式對(duì)信號(hào)的影響也是不可忽視的，因?yàn)樗彩钱a(chǎn)生EMI輻射的重要因素。一般地，貼片器件的寄生參數(shù)小于插裝器件，BGA封裝的寄生參數(shù)小于QFP封裝。

連接器的選擇與信號(hào)端子定義

連接器是高速信號(hào)傳輸?shù)年P(guān)鍵環(huán)節(jié)，也是易產(chǎn)生EMI的薄弱環(huán)節(jié)。在連接器的端子設(shè)計(jì)上可多安排地針，減小信號(hào)與地的間距，減小連接器中產(chǎn)生輻射的有效信號(hào)環(huán)路面積，提供低阻抗回流通路。必要時(shí)，要考慮將一些關(guān)鍵信號(hào)用地針隔離。

疊層設(shè)計(jì)

在成本許可的前提下，增加地線層數(shù)量，將信號(hào)層緊鄰地平面層可以減少EMI輻射。對(duì)于高速PCB，電源層和地線層緊鄰耦合，可降低電源阻抗，從而降低EMI。

通過以上的介紹可以看到，在器件的選擇方面，盡量選擇速率較高的。而對(duì)于信號(hào)端子的定義，則要在連接器的端子設(shè)計(jì)上盡量多的安排地針。為了盡量減少EMI的輻射，需要盡量的在PCB增加地線并且將信號(hào)層緊鄰地平面層。