2016年12月27日 日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社 東芝（Toshiba） 存儲(chǔ)&電子元器件解決方案公司旗下東芝電子有限公司宣布，東芝的64層BiCS FLASH^TM產(chǎn)品榮獲《電子產(chǎn)品世界》2016年度“編輯推薦獎(jiǎng)”之“最佳創(chuàng)新理念獎(jiǎng)”。

由于物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等信息密集度較高的應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，實(shí)時(shí)性能被視為重要要求，大量的數(shù)據(jù)必須由大數(shù)據(jù)系統(tǒng)進(jìn)行管理或無限期存儲(chǔ)到數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)系統(tǒng)。在這種情況下，需要大容量存儲(chǔ)以便能夠以高速和低功耗的方式處理、存儲(chǔ)和管理大量的數(shù)據(jù)。而且對(duì)于移動(dòng)終端、存儲(chǔ)卡等應(yīng)用而言，低功耗存儲(chǔ)的需求正在日益增長。BiCS FLASH相比于平面NAND閃存提供了許多優(yōu)點(diǎn)，它正逐步成為滿足市場要求的解決方案。

東芝于1987年發(fā)明了NAND閃存，并且率先于1991年開始量產(chǎn)該產(chǎn)品，這開創(chuàng)了世界的先例。隨后，通過縮小制造工藝和工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)，東芝不斷增大NAND閃存的容量，并于2007年6月推出全球首款BiCS FLASH^TM原型技術(shù)。多年來通過不斷致力于下一代技術(shù)以及大批量生產(chǎn)技術(shù)的研發(fā)的東芝，在2016年7月推出世界首款64層3D NAND樣品，進(jìn)一步滿足了國際市場對(duì)更小體積、更大容量閃存的需求。

本次獲獎(jiǎng)的最新一代64層BiCS FLASH^TM技術(shù)產(chǎn)品，其采用了3位元（三階存儲(chǔ)單元，TLC）技術(shù)，容量達(dá)到256千兆比特（32GB），與48層堆疊工藝相比，東芝領(lǐng)先的64層堆疊工藝使每單元芯片尺寸容量提高40%，降低了位存儲(chǔ)成本并提高了每個(gè)硅晶片內(nèi)存容量的可制造性。64層BiCS FLASH^TM這一重大進(jìn)步凸顯了東芝專利結(jié)構(gòu)的潛力，不僅可以滿足嚴(yán)苛的性能規(guī)格需求，同時(shí)充分發(fā)揮了BiCS FLASH產(chǎn)品的高密度／高容量、快速編程速度、高可靠性、低功耗等特點(diǎn)，該新器件將適用于企業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤、智能手機(jī)、平板電腦和內(nèi)存卡等應(yīng)用。

東芝表示，為了應(yīng)對(duì)快速發(fā)展的信息技術(shù)，東芝將繼續(xù)完善BiCS FLASH^TM技術(shù)，公司發(fā)展藍(lán)圖的下一里程碑是64層512千兆比特（64GB）器件。未來，東芝將推出更多主要瞄準(zhǔn)大容量應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品組合，如消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等，同時(shí)該技術(shù)的閃存同樣可以應(yīng)用于智能手機(jī)、平板機(jī)、存儲(chǔ)卡。