宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布位于美國弗吉尼亞州的Blacksburg應(yīng)用中心落成。該中心進(jìn)一步支持增強(qiáng)型氮化鎵晶體管及集成電路的研發(fā)及應(yīng)用，從而擴(kuò)大潛在市場的覆蓋率。除了基于傳統(tǒng)的場效應(yīng)晶體管及集成電路的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用外，氮化鎵技術(shù)推動新興應(yīng)用的出現(xiàn)，包括無線電源傳輸、應(yīng)用于全自動駕駛車輛的激光雷達(dá)技術(shù)及 支持4G和5G通信標(biāo)準(zhǔn)的包絡(luò)跟蹤應(yīng)用。

為了支持應(yīng)用中心的運作，EPC公司聘任Suvankar Biswas博士為高級應(yīng)用工程師。Biswas博士的工作經(jīng)驗包括面向集成式光伏模塊的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?、并網(wǎng)逆變器及存儲。此外，他的研發(fā)經(jīng)驗包括在移動設(shè)備面向能量收集的電力電子電路與集成的研發(fā)工作、面向移動平臺系統(tǒng)的分布式功率架構(gòu)、混合動力車輛和它與Smart Grid的互聯(lián)等研發(fā)工作。他是IEEE會員，曾發(fā)表多篇經(jīng)過同行審查的文章。Biswas博士從Indian Institute of Technology Kharagpur獲得電機(jī)工程學(xué)的學(xué)士學(xué)位，并從University of Minnesota獲得博士學(xué)位。

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow博士稱:「我們致力于開發(fā)及設(shè)計基于eGaN技術(shù)的解決方案并展示eGaN晶體管的性能比MOSFET及LDMOS優(yōu)越。Blacksburg應(yīng)用中心的落成成為我們持續(xù)擴(kuò)大與客戶的合作伙伴關(guān)系的一個重要里程碑。我們非常高興Biswas博士在基于氮化鎵技術(shù)的解決方案正在快速普及之時加入我們的團(tuán)隊?！?/span>

關(guān)于宜普電源轉(zhuǎn)換公司

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、無線電源傳送、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(dá)（LiDAR）及D類音頻放大器等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網(wǎng)站，網(wǎng)址為www.epc-co.com.cn。