來自臺灣地區(qū)的行業(yè)消息稱，蘋果公司新一代智能手機iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8正遭遇NAND閃存芯片供應(yīng)不足的問題。為了解決該問題，蘋果不得不將三星納入到閃存供應(yīng)商之列。與SK Hynix和東芝相比，三星的3D NAND閃存成品率比較穩(wěn)定，因此產(chǎn)量有保證。

3D NAND閃存供貨商那么多，為啥蘋果偏偏挑中了三星？下面讓我們來分析一下四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色吧。

在主要的NAND廠商中，三星最早量產(chǎn)了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星至少2年時間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD，不過主要是面向企業(yè)級市場的。

這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術(shù)不同，堆棧的層數(shù)也不一樣，而Intel在常規(guī)3D NAND閃存之外還開發(fā)了新型的3D XPoint閃存，它跟目前的3D閃存有很大不同，屬于殺手锏級產(chǎn)品，值得關(guān)注。

上述3D NAND閃存中，由于廠商不一定公布很多技術(shù)細節(jié)，特別是很少提及具體的制程工藝，除了三星之外其他廠商的3D NAND閃存現(xiàn)在才開始推向市場，代表性產(chǎn)品也不足。

三星：最早量產(chǎn)的V-NAND閃存

三星是NAND閃存市場最強大的廠商，在3D NAND閃存上也是一路領(lǐng)先，他們最早在2013年就開始量產(chǎn)3D NAND閃存了。在3D NAND路線上，三星也研究過多種方案，最終量產(chǎn)的是VG垂直柵極結(jié)構(gòu)的V-NAND閃存，目前已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND技術(shù)，堆棧層數(shù)從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。

值得一提的是，三星在3D NAND閃存上領(lǐng)先不光是技術(shù)、資金的優(yōu)勢，他們首先選擇了CTF電荷擷取閃存（charge trap flash，簡稱CTF）路線，相比傳統(tǒng)的FG（Floating Gate，浮柵極）技術(shù)難度要小一些，這多少也幫助三星占了時間優(yōu)勢。

東芝/閃迪：獨辟蹊徑的BiCS技術(shù)

東芝是閃存技術(shù)的發(fā)明人，雖然現(xiàn)在的份額和產(chǎn)能被三星超越，不過東芝在NAND及技術(shù)領(lǐng)域依然非常強大，很早就投入3D NAND研發(fā)了，2007年他們獨辟蹊徑推出了BiCS技術(shù)的3D NAND——之前我們也提到了，2D NAND閃存簡單堆棧是可以作出3D NAND閃存的，但制造工藝復(fù)雜，要求很高，而東芝的BiCS閃存是Bit Cost Scaling，強調(diào)的就是隨NAND規(guī)模而降低成本，號稱在所有3D NAND閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。

東芝和閃迪是戰(zhàn)略合作伙伴，雙方在NAND領(lǐng)域是共享技術(shù)的，他們的BiCS閃存去年開始量產(chǎn)，目前的堆棧層數(shù)是48層，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達256Gb，預(yù)計會在日本四日市的Fab 2工廠規(guī)模量產(chǎn)，2016年可以大量出貨了。

SK Hynix：悶聲發(fā)財?shù)?D NAND

在這幾家NAND廠商中，SK Hynix的3D NAND最為低調(diào)，相關(guān)報道很少，以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND閃存資料，不過從官網(wǎng)公布的信息來看，SK Hynix的3D NAND閃存已經(jīng)發(fā)展了3代了，2014年Q4推出的第一代，2015年Q3季度推出的第二代，去年Q4推出的則是第三代3D NAND閃存，只不過前面三代產(chǎn)品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移動市場，今年推出的第四代3D NAND閃存則會針對UFS 2.1、SATA及PCI-E產(chǎn)品市場。

SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數(shù)從36層起步，不過真正量產(chǎn)的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。

Intel/美光：容量最高的3D NAND閃存

這幾家廠商中，Intel、美光的3D NAND閃存來的最晚，去年才算正式亮相，不過好菜不怕晚，雖然進度上落后了點，但IMFT的3D NAND有很多獨特之處，首先是他們的3D NAND第一款采用FG浮柵極技術(shù)量產(chǎn)的，所以在成本及容量上更有優(yōu)勢，其MLC類型閃存核心容量就有256Gb，而TLC閃存則可以做到384Gb，是目前TLC類型3D NAND閃存中容量最大的。

384Gb容量還不終點，今年的ISSCC大會上美光還公布了容量高達768Gb的3D NAND閃存論文，雖然短時間可能不會量產(chǎn)，但已經(jīng)給人帶來了希望。

Intel的殺手锏：3D XPoint閃存

IMFT在3D NAND閃存上進展緩慢已經(jīng)引起了Intel的不滿，雖然雙方表面上還很和諧，但不論是16nm閃存還是3D閃存，Intel跟美光似乎都有分歧，最明顯的例子就是Intel都開始采納友商的閃存供應(yīng)了，最近發(fā)布的540s系列硬盤就用了SK Hynix的16nm TLC閃存，沒有用IMFT的。

Intel、美光不合的證據(jù)還有最明顯的例子——那就是Intel甩開美光在中國大連投資55億升級晶圓廠，準(zhǔn)備量產(chǎn)新一代閃存，很可能就是3D XPoint閃存，這可是Intel的殺手锏。

這個3D XPoint閃存我們之前也報道過很多了，根據(jù)Intel官方說法，3D XPoint閃存各方面都超越了目前的內(nèi)存及閃存，性能是普通顯存的1000倍，可靠性也是普通閃存的1000倍，容量密度是內(nèi)存的10倍，而且是非易失性的，斷電也不會損失數(shù)據(jù)。

由于還沒有上市，而且Intel對3D XPoint閃存口風(fēng)很嚴(yán)，所以我們無法確定3D XPpoint閃存背后到底是什么，不過比較靠譜的說法是基于PCM相變存儲技術(shù)，Intel本來就是做存儲技術(shù)起家的，雖然現(xiàn)在的主業(yè)是處理器，但存儲技術(shù)從來沒放松，在PCM相變技術(shù)上也研究了20多年了，現(xiàn)在率先取得突破也不是沒可能。

相比目前的3D NAND閃存，3D XPoint閃存有可能革掉NAND及DRAM內(nèi)存的命，因為它同時具備這兩方面的優(yōu)勢，所以除了做各種規(guī)格的SSD硬盤之外，Intel還準(zhǔn)備推出DIMM插槽的3D XPoint硬盤，現(xiàn)在還不能取代DDR內(nèi)存，但未來一切皆有可能。