全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。 這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子會議（APEC 2018）的Littelfuse展位亮相。

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低導通電阻(RDS(ON))，分別僅為120毫歐姆和160毫歐姆。 這些碳化硅MOSFET可在各種電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中用作電源半導體開關(guān)，其在阻斷電壓、特征導通電阻和結(jié)電容方面的性能顯著優(yōu)于其他硅MOSFET。 其還兼具高工作電壓和超高切換速度，這是具有類似額定電流和封裝的硅IGBT等傳統(tǒng)功率晶體管方案所無法企及的。

這些新型碳化硅MOSFET的典型應(yīng)用包括：

電動汽車

工業(yè)機械

可再生能源（如太陽能逆變器）

醫(yī)療設(shè)備

開關(guān)式電源

不間斷電源（UPS）

電機驅(qū)動器

高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

感應(yīng)加熱

“這些新型碳化硅MOSFET為電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計師提供了傳統(tǒng)硅基晶體管的先進替代選擇?！盠ittelfuse電源半導體產(chǎn)品營銷經(jīng)理Michael Ketterer表示， “其固有的材料特性和超快速切換能力提供了各種優(yōu)化設(shè)計的機會，包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性?！?

新型1200V碳化硅MOSFET具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢：

從系統(tǒng)層面減少的無源濾波器組件數(shù)量有助于提高功率密度，為高頻高效應(yīng)用打造優(yōu)化設(shè)計。

極低的柵極電荷和輸出電容結(jié)合超低導通電阻可最大限度地減少功率耗散，提高效率并降低所需冷卻技術(shù)的規(guī)模和復(fù)雜性。 

供貨情況

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封裝，提供450只裝管式包裝。 您可通過全球各地的Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。