碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布推出第3代1200V和650V碳化硅JFET，擴(kuò)展了現(xiàn)有的獨(dú)特常開啟型SiC JFET產(chǎn)品組合。

這些器件處于通常開啟狀態(tài)，采用零電壓柵極驅(qū)動，因而特別適用于快速動作、固態(tài)斷路器和電路保護(hù)等應(yīng)用，這些應(yīng)用中，通常在沒有柵極電源的情況下需要默認(rèn)為導(dǎo)通狀態(tài)。這些器件還可與Si-MOSFET串聯(lián)使用，形成強(qiáng)大的“超級共源共柵”，具有寬帶隙技術(shù)的所有優(yōu)勢，能提供極高的工作電壓，并易于柵極驅(qū)動。新器件還可用于電子負(fù)載、無線充電同步整流和低功率反激式轉(zhuǎn)換器中的電源開關(guān)，其中采用共源共柵配置的JFET可確保易于啟動。新器件所面向的市場包括鐵路、電動飛行器和電動牽引中的電路保護(hù)，以及高壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換等等。

SiC JFET器件能提供極佳的RDSA品質(zhì)因數(shù)（基于晶片面積歸一化的導(dǎo)通電阻），在電路保護(hù)應(yīng)用中具有低插入損耗。由于RDSON的正溫度系數(shù)和較為平坦的柵極閾值電壓對溫度曲線，這些部件可以很容易并聯(lián)使用。在以“線性”模式工作時，SiC JFET表現(xiàn)出寬的安全工作區(qū)（SOA），而沒有其他技術(shù)容易受到的電流擁擠效應(yīng)和潺流效應(yīng)(current filament)等影響，使得它們特別適用于電子負(fù)載和電流限制器。SiC JFET中不存在柵極氧化物，因而也增強(qiáng)了抗輻射能力和總體的牢固性等附加優(yōu)勢。

這些器件的制造采用了UnitedSiC專有的6英寸晶圓工藝，其中包括先進(jìn)的晶圓減薄（wafer-thinning）和晶片粘接（die-attach）技術(shù)，具有出色的結(jié)至外殼熱阻。

新發(fā)布的第三代器件編號為UJ3N120070K3S（1200V/70mΩ）、UJ3N120035K3S（1200V/35mΩ）、UJ3N0650080K3S（650V/80mΩ）和UJ3N065025K3S（650V/25mΩ）。所有這些可選器件均采用方便的TO-247-3L封裝。

UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla表示：“當(dāng)您需要常通、超級牢固的器件時，UnitedSiC的SiC JFET可提供無與倫比的系統(tǒng)價值。隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對電路保護(hù)的需求也在不斷增長。動作非?？焖俚臄嗦菲骺梢院喕壍罓恳?、船舶和越來越多的電動飛行器等電源電路設(shè)計，而且在這些類型應(yīng)用中，SiC JFET也是最簡單、最高效的限流方案。”