本文主要講了rcd吸收電路的原理、設(shè)計(jì)及作用，具體的隨小編來(lái)看看吧。

一、rcd吸收電路原理

若開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，蓄積在寄生電感中能量通過(guò)開(kāi)關(guān)的寄生電容充電，開(kāi)關(guān)電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓時(shí)，吸收二極管導(dǎo)通，開(kāi)關(guān)電壓被吸收二極管所嵌位，約為1V左右。寄生電感中蓄積的能量也對(duì)吸收電容充電。開(kāi)關(guān)接通期間，吸收電容通過(guò)電阻放電。

二、rcd吸收電路參數(shù)

三、rcd吸收電路設(shè)計(jì)

1、測(cè)量主變壓器的初級(jí)漏感電感量Lr

這兩種鉗位電路均是為了吸收漏感的能量以降低主開(kāi)關(guān)管的電壓應(yīng)力，既然是吸收漏感的能量，顯然我們要知道變壓器的漏感能量有多大。然而，需要知道漏感能量有多大，需要知道漏感多大，因此第一步我們就要測(cè)量變壓器的漏感Lr。

2、計(jì)算漏感能量E

E=1/2*Lr*Ipk2

3、確定Vcmax或Vtvs

一般我們至少要給MOS電壓應(yīng)力留有10%的裕量，保守情況留有20%的裕量，尤其是沒(méi)有軟啟動(dòng)切功率相對(duì)較大的電源里，這里我們?nèi)?0%的裕量。所以就有Vcmax（Vtvs）=80%*Vdsmax-√2*Vinmax。

4、確定△Vc，Vcavg，Vcmin（TVS方案無(wú)此步驟）

RCD電路中C1兩端電壓是變化的，主開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)漏感能量迅速將其充電至Vcmax，然后通過(guò)R慢慢放電到Vcmin。這個(gè)△Vc一般我們會(huì)設(shè)計(jì)在10%-15%Vcmax左右。有了△Vc即可得到Vcavg，Vcmin。

5、確定R2大小

在第二步中我們已經(jīng)計(jì)算出了漏感能量，假設(shè)我們的漏感能量全部被轉(zhuǎn)移到C1（或被TVS消耗掉）中，那么R2上必然消耗掉這些能量。當(dāng)然，漏感的能量不會(huì)全部轉(zhuǎn)移到C1中或被TVS消耗掉，但是作為一個(gè)理論設(shè)計(jì)指導(dǎo)，此假設(shè)是合理的（假設(shè)誤差由實(shí)際測(cè)試結(jié)果來(lái)調(diào)整）。

所以，Vcavg2/R=E*f

由此式即可計(jì)算出R2的大小，亦可得出R2的功率要求，一般要保證R2的功率要大于此功率（E*f）的1.5-2.5倍。若為T(mén)VS則，TVS的功率也要和電阻的功率要求一樣，要大于1.5-2.5*E*f。

6、確定C1的大小

由第五步中的假設(shè)，可知：E=1/2*C1*（Vcmax2-Vcmin2）所以C1大小可求出。至此我們分析了R2，C1，ZD1（TVS）的設(shè)計(jì)流程，還有R1和D1的要求了。

7、R1可以改善EMI，同時(shí)限制D1的反向恢復(fù)電流，小功率電源中常用。

一般我們會(huì)選取幾十Ω左右，當(dāng)然功率越大，Ipk越大，此電阻的損耗越大，所以要取的越小，大功率此電阻取幾Ω即可，甚至不要此電阻。大功率電源中慎用此電阻。

功耗要大于Ipk2*R1

8、D1一般用快恢復(fù)或超快恢復(fù)二極管

二極管電流電壓按一般裕量原則1.5Ipk，1.5Vcmax即可，功耗要求大于1/2*Ipk*Vf（DCM模式），CCM模式1/2*Ipk替換為初級(jí)平均電流即可，主要還是看此二極管的發(fā)熱量。關(guān)于D1用慢管的運(yùn)用，一定要配合好R1且在小功率場(chǎng)合。

四、rcd吸收電路作用

RCD電路在電源中能夠較大程度的吸收電阻，從而起到降低損耗的作用。

在原邊反饋IC恒流方案中，RCD起到的作用：

1，可以減少漏感在主開(kāi)關(guān)上形成的電壓尖峰，

2，減少EMI干擾