本文主要針對(duì)兩電平15KW SIC充電樁的解決方案進(jìn)行了詳細(xì)的分析，同時(shí)簡(jiǎn)述了其他功率的充電樁設(shè)計(jì)方案。跟著小編一起來看看吧！

兩電平15KW SIC充電樁的方案簡(jiǎn)介

兩電平15KW SIC充電樁方案拓?fù)淙耘c主流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)一致，如圖1所示，采用VIENNA整流升壓（AC/DC）+全橋LLC逆變+整流，最終輸出直流電給電動(dòng)汽車充電，其核心技術(shù)賣點(diǎn)在全橋LLC逆變電路采用1200V SIC MOSFET做兩電平H橋(4顆MOS)替換CoolMOS三電平全橋（6顆MOS），可實(shí)現(xiàn)更小的體積和更高的效能，同時(shí)兩電平控制比三電平簡(jiǎn)單，不但能降低系統(tǒng)成本，還可縮短研發(fā)周期。

圖1：兩電平15kw SIC充電樁方案拓?fù)?

逆變電路最低損耗：全橋LLC+SIC MOSFET

全橋LLC軟開關(guān)技術(shù)配上零損耗的SIC MOSFET可將損耗降到最低，電路如圖2所示，而SIC MOSFET推薦CREE的全新C2M系列 SIC MOSFET，在低導(dǎo)通電阻下具有高阻斷電壓，便于并聯(lián)使用，非常容易驅(qū)動(dòng)。具體型號(hào)推薦選用漏源電壓為1200V的SIC MOSFET，型號(hào)為C2M0025120D。該型號(hào)SIC MOSFET連續(xù)續(xù)流電流在常溫下為90A，在100℃時(shí)候?yàn)?0A，用于15KW的EV charger的DC/DC上，比傳統(tǒng)的SI材料的IGBT在開關(guān)損耗上降低很多，如圖3所示，使逆變器的整體效率提上到一個(gè)較高的層次。

圖2：全橋LLC ZVS諧振DC/DC轉(zhuǎn)換（兩電平）

圖3：傳統(tǒng)的SI材料IGBT和SIC MOSFET開關(guān)波形

其他功率的充電樁設(shè)計(jì)方案如何設(shè)計(jì)呢?

1）如做更低功率的10KW、12KW充電模塊，可以選用4pcs 80mΩ的SIC MOSFET做H橋，推薦型號(hào)為C2M0080120D 1200V/20A，RDS(on)=80mΩ。如想更好的散熱，可選用8pcs 160mΩ的SIC MOSFET，推薦型號(hào)為C2M0160120D 1200V/11A，RDS(on)=160mΩ。

2）如做15KW~20KW的充電模塊，推薦用8pcs 80mΩ的SIC MOSFET實(shí)現(xiàn)。

為便于設(shè)計(jì)者更直觀的看到如上推薦的SIC MOSFET型號(hào)設(shè)計(jì)參數(shù)，提供如下表1供設(shè)計(jì)者選型使用。

表1：CREE C2M SIC MOSFET主要型號(hào)技術(shù)參數(shù)對(duì)照表