本文主要針對兩電平15KW SIC充電樁的解決方案進行了詳細的分析，同時簡述了其他功率的充電樁設計方案。跟著小編一起來看看吧！

兩電平15KW SIC充電樁的方案簡介

兩電平15KW SIC充電樁方案拓撲仍與主流拓撲結構一致，如圖1所示，采用VIENNA整流升壓（AC/DC）+全橋LLC逆變+整流，最終輸出直流電給電動汽車充電，其核心技術賣點在全橋LLC逆變電路采用1200V SIC MOSFET做兩電平H橋(4顆MOS)替換CoolMOS三電平全橋（6顆MOS），可實現更小的體積和更高的效能，同時兩電平控制比三電平簡單，不但能降低系統(tǒng)成本，還可縮短研發(fā)周期。

圖1：兩電平15kw SIC充電樁方案拓撲

逆變電路最低損耗：全橋LLC+SIC MOSFET

全橋LLC軟開關技術配上零損耗的SIC MOSFET可將損耗降到最低，電路如圖2所示，而SIC MOSFET推薦CREE的全新C2M系列 SIC MOSFET，在低導通電阻下具有高阻斷電壓，便于并聯使用，非常容易驅動。具體型號推薦選用漏源電壓為1200V的SIC MOSFET，型號為C2M0025120D。該型號SIC MOSFET連續(xù)續(xù)流電流在常溫下為90A，在100℃時候為60A，用于15KW的EV charger的DC/DC上，比傳統(tǒng)的SI材料的IGBT在開關損耗上降低很多，如圖3所示，使逆變器的整體效率提上到一個較高的層次。

圖2：全橋LLC ZVS諧振DC/DC轉換（兩電平）

圖3：傳統(tǒng)的SI材料IGBT和SIC MOSFET開關波形

其他功率的充電樁設計方案如何設計呢?

1）如做更低功率的10KW、12KW充電模塊，可以選用4pcs 80mΩ的SIC MOSFET做H橋，推薦型號為C2M0080120D 1200V/20A，RDS(on)=80mΩ。如想更好的散熱，可選用8pcs 160mΩ的SIC MOSFET，推薦型號為C2M0160120D 1200V/11A，RDS(on)=160mΩ。

2）如做15KW~20KW的充電模塊，推薦用8pcs 80mΩ的SIC MOSFET實現。

為便于設計者更直觀的看到如上推薦的SIC MOSFET型號設計參數，提供如下表1供設計者選型使用。

表1：CREE C2M SIC MOSFET主要型號技術參數對照表