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你要的磁導(dǎo)率這里都有...(內(nèi)含計(jì)算過程)

2019-06-12 11:15 來源:電源網(wǎng)綜合 編輯:Angelina

本篇文章主要介紹一下6種磁導(dǎo)率的詳細(xì)計(jì)算方法,快來學(xué)習(xí)一下吧!

1、磁介質(zhì)的磁導(dǎo)率

電流產(chǎn)生磁場(chǎng),但電流在不同的介質(zhì)中產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度是不同的。例如,在相同條件下,鐵磁介質(zhì)中所產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度比空氣介質(zhì)中大得多。為了表征這種特性,將不同的磁介質(zhì)用一個(gè)系數(shù)μ來考慮,μ稱為介質(zhì)磁導(dǎo)率,表征物質(zhì)的導(dǎo)磁能力。在介質(zhì)中,μ越大,介質(zhì)中磁感應(yīng)強(qiáng)度B就越大。

真空中的磁導(dǎo)率一般用μ0表示??諝?、銅、鋁和絕緣材料等非磁材料的磁導(dǎo)率和真空磁導(dǎo)率大致相同。而鐵、鎳、鈷等鐵磁材料及其合金的磁導(dǎo)率都比μ0大10~105倍。

最初,將真空磁導(dǎo)率μ0定為1,其他材料的磁導(dǎo)率實(shí)際上是真空磁導(dǎo)率的倍數(shù)。沿用了很長時(shí)間,并影響到一些基本關(guān)系式的表達(dá),就是在公式中經(jīng)常出現(xiàn)的4π,現(xiàn)在英美還在應(yīng)用,這就是非合理化單位制(CGS制)的來由。

但是,近代物理經(jīng)過測(cè)試,實(shí)際真空磁導(dǎo)率:

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因此其他材料的實(shí)際磁導(dǎo)率應(yīng)當(dāng)是原先磁導(dǎo)率乘以μ0。因?yàn)樵讦?中包含了4π,這樣在所有表達(dá)電磁關(guān)系的公式中沒有了討厭的4π,形成了所謂合理化單位制(MKS制)。這里將其他材料磁導(dǎo)率高于真空磁導(dǎo)率的倍數(shù)稱為相對(duì)磁導(dǎo)率μr。 也稱為絕對(duì)磁導(dǎo)率:

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為了比較介質(zhì)導(dǎo)磁性能,通常以真空磁導(dǎo)率為基準(zhǔn),定義介質(zhì)的磁導(dǎo)率μ與真空磁導(dǎo)率μ0之比為相對(duì)磁導(dǎo)率μr,即:

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磁性材料的相對(duì)磁導(dǎo)率不是一個(gè)常數(shù),因μ是 B-H曲線上任意一點(diǎn)的B和H的比值,即:

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2、最大磁導(dǎo)率μm

圖4-11中μ曲線表示了μr值是隨磁場(chǎng)強(qiáng)度變化的曲線。在某一磁場(chǎng)強(qiáng)度下,相對(duì)磁導(dǎo)率達(dá)到最大值,稱為最大磁導(dǎo)率μm。

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3、初始磁導(dǎo)率μi

一般規(guī)定材料樣件是環(huán)形的閉合磁路。當(dāng)激勵(lì)磁場(chǎng)強(qiáng)度H→0時(shí)的磁導(dǎo)率稱為初始磁導(dǎo)率μi:  

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初始磁導(dǎo)率μi與溫度和頻率有關(guān)。例如在DIN IEC401中規(guī)定軟磁鐵氧體材料的μi測(cè)試條件為f≤10kHz,B<0.25mT,T=25℃。

4、增量磁導(dǎo)率μ?

在一個(gè)直流磁場(chǎng)上疊加一個(gè)交流磁場(chǎng)時(shí)(圖4-12),交流分量的磁導(dǎo)率即為增量磁導(dǎo)率μ? :

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如果交流分量和直流分量比較,小到可以忽略,則增量磁導(dǎo)率稱之為可逆磁導(dǎo)率(μrev)。該值與直流磁場(chǎng)大小,磁芯的幾何形狀及溫度有關(guān)。

5、有效磁導(dǎo)率μe

電感的磁芯采用低磁導(dǎo)率環(huán)形磁芯外, 有時(shí)還采用開有空氣隙(μr=1)的高磁導(dǎo)率(μi>>1磁材料)磁芯。高磁導(dǎo)率磁芯存儲(chǔ)能量很少,主要用空氣隙存儲(chǔ)能量。

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如果是帶有氣隙為δ的環(huán)形磁芯(圖4-13(a)),截面積Ac,有效磁路長度為lc,線圈匝數(shù)為N,線圈電流為I,假設(shè)氣隙δ相對(duì)于截面的尺寸很小,忽略散磁通。根據(jù)全電流定律有:

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式中Hδ和Hc分別為氣隙和磁芯中的磁場(chǎng)強(qiáng)度。因?yàn)闅庀逗苄?,不考慮氣隙的邊緣磁通,則有:

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又因?yàn)楹雎赃吘壌磐?,故磁芯磁通密度Bc=Bδ-氣隙磁通密度,因此近似有:

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μe為有效磁導(dǎo)率。這就是說,磁芯帶有氣隙后,等效的磁導(dǎo)率降低了。如果μr>>lc/δ,則有效磁導(dǎo)率近似為:

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則式(4-15)可以改寫為:

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式中Hc=Bc/μ0μr。帶有氣隙的磁芯產(chǎn)生與無氣隙時(shí)相同的磁通密度,磁場(chǎng)強(qiáng)度分為兩個(gè)部分:磁芯中的Hc和等效的氣隙磁場(chǎng)強(qiáng)度H’δ=μrδ/lc,帶有氣隙磁芯磁化曲線是磁芯磁化特性與氣隙磁化特性的合成,如圖4-13(b)所示。由圖4-13(b)可見,合成磁化曲線的線性度比材料磁化曲線好得多。也就是說磁芯材料特性的非線性被磁阻大得多的線性氣隙“湮沒”了。而且可通過改變氣隙的大小,方便地改變磁芯的有效磁導(dǎo)率。其次,由于氣隙的去磁作用,磁芯的剩磁感應(yīng)(Br)大大下降了,這個(gè)性能對(duì)單向磁化應(yīng)用非常有用。

6、幅值磁導(dǎo)率(μa)

沒有直流偏置時(shí),交變磁場(chǎng)強(qiáng)度的幅值與磁通密度幅值的關(guān)系稱為幅值磁導(dǎo)率μa:

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因?yàn)榇呕€是非線性的,幅值磁導(dǎo)率與峰值磁場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)。

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