晶體管最早源于二戰(zhàn)期間山姆大叔軍事上的需求。1947年12月，貝爾實(shí)驗(yàn)室成功研制出世界上第一個(gè)晶體管！1954年，世界上第一臺(tái)沒有電子管的計(jì)算機(jī)誕生。1961年，羅伯特洛里斯獲得第一個(gè)集成電路專利。自1972年開始，Intel的處理器從包含2000多個(gè)晶體管到超過(guò)20億個(gè)，到2008年，60億枚晶體管所占面積不過(guò)一張信用卡大小！

1883年，著名的交流電發(fā)明者特斯拉的死對(duì)頭愛迪生在的尋找電燈泡最佳燈絲材料時(shí)，無(wú)意中發(fā)現(xiàn)沒有連接在電路里的銅絲，卻因接收到碳絲發(fā)射的熱電子產(chǎn)生了微弱的電流，由于他老人家當(dāng)時(shí)正在潛心研究城市直流供電系統(tǒng)，并沒有深入研究這一現(xiàn)象，但具有敏銳企業(yè)家眼光的愛迪生將這一發(fā)明申請(qǐng)了專利，并命名為“愛迪生效應(yīng)”。1904年，弗萊明根據(jù)愛迪生效應(yīng)研發(fā)出了世界上第一只電子二極管，在隨后短短幾年，電子二極管、電子三極管等電子管器件迅猛發(fā)展，占據(jù)電子技術(shù)領(lǐng)域里據(jù)統(tǒng)治地位四十余年！

雖然電子管開啟了電子時(shí)代的新篇章，但是用起來(lái)還是很不爽！首先電子管體積很大，世界上第一臺(tái)計(jì)算機(jī)用了約1.8W只電子管，用得起的人都是土豪，因?yàn)樗嫉丶s170m2，需要一個(gè)大豪斯！同時(shí)還存在功耗大、發(fā)熱量大、能效低、壽命短，結(jié)構(gòu)脆等諸多缺點(diǎn)?？傮w來(lái)說(shuō)，除了冬天可以取取暖，其他的基本上都是硬傷。隨著對(duì)電子管的越來(lái)越不爽，晶體管上場(chǎng)了，總之就是一句話，就是要干掉你，馬不停蹄的干掉你。

晶體管最早源于二戰(zhàn)期間山姆大叔軍事上的需求。1947年12月，貝爾實(shí)驗(yàn)室成功研制出世界上第一個(gè)晶體管。1954年，世界上第一臺(tái)沒有電子管的計(jì)算機(jī)誕生。1961年，羅伯特洛里斯獲得第一個(gè)集成電路專利。自1972年開始，Intel的處理器從包含2000多個(gè)晶體管到超過(guò)20億個(gè)，到2008年，60億枚晶體管所占面積不過(guò)一張信用卡大??！

（注：集成電路（Integrated Circuit）是指采用一定的工藝，把若干晶體管、電阻、電容和電感等元件制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一起而成的微型結(jié)構(gòu)。）

相對(duì)于晶體管，電子管基本沒有任何優(yōu)勢(shì)！晶體管的壽命比電子管長(zhǎng)100到1000倍，功耗僅為電子管的十分之一或百分之一，而且實(shí)用性高、耐沖擊、放熱少，這下電子管沒得玩了。自從晶體管被發(fā)明那一刻起，就迅速引領(lǐng)電子技術(shù)領(lǐng)域，晶體管實(shí)際上是所有現(xiàn)代電器的最為關(guān)鍵的元件之一。晶體管作為人類歷史上偉大的發(fā)明之一，其重要性不亞于蒸汽機(jī)、汽車、電話的發(fā)明。

晶體管是指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件，包含晶體二/三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等。其中場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫FET）包括結(jié)型（Junction FET，簡(jiǎn)稱JFET）和金屬-氧化物型（Metal-Oxide Semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOSFET或MOS管）。今年10月份，美國(guó)開發(fā)出了世界上最小的晶體管，其柵極線寬只有1納米，再一次拯救了摩爾定律！

三極管和MOS管廣泛應(yīng)用汽車、航空航天、工業(yè)控制等電子技術(shù)領(lǐng)域。MOS管導(dǎo)通壓降小、導(dǎo)通電阻小、損耗小、噪聲系數(shù)小，是電壓控制型元件。三極管是電流控制型元件，成本比較低。選器件時(shí)，先考慮三極管，如不滿足需求，再選MOS管。一般來(lái)說(shuō)，高頻、高壓、大電流、低噪聲等場(chǎng)合，首選MOS管！

最后還需要談的是絕緣柵雙極型晶體管 (Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT)，它是由晶體三極管和絕緣柵型的MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，算是一個(gè)混血兒吧，兼有MOS管的高輸入阻抗和大功率晶體管的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，具有驅(qū)動(dòng)電流大、驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)頻率快、導(dǎo)通壓降大等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、牽引傳動(dòng)等直流高壓和交流電機(jī)領(lǐng)域！