柵極電荷。Qgs, Qgd

Qgs:指的是柵極從0v充電到對(duì)應(yīng)電流米勒平臺(tái)時(shí)總充入電荷（實(shí)際電流不同，這個(gè)平臺(tái)高度不同，電流越大，平臺(tái)越高，這個(gè)值越大）。這個(gè)階段是給Cgs充電（也相當(dāng)于Ciss，輸入電容）。

Qgd:指的是整個(gè)米勒平臺(tái)的總充電電荷（在這稱為米勒電荷）。這個(gè)過(guò)程給Cgd（Crss，這個(gè)電容隨著gd電壓不同迅速變化）充電。

下面是型號(hào)stp75nf75.

我們普通75管Qgs是27nc，Qgd是47nc。結(jié)合它的充電曲線。

進(jìn)入平臺(tái)前給Cgs充電，總電荷Qgs 27nc，平臺(tái)米勒電荷Qgd 47nc。

而在開(kāi)關(guān)過(guò)沖中，mos主要發(fā)熱區(qū)間是粗紅色標(biāo)注的階段。從Vgs開(kāi)始超過(guò)閾值電壓，到米勒平臺(tái)結(jié)束是主要發(fā)熱區(qū)間。其中米勒平臺(tái)結(jié)束后mos基本完全打開(kāi)這時(shí)損耗是基本導(dǎo)通損耗（mos內(nèi)阻越低損耗越低）。閾值電壓前，mos沒(méi)有打開(kāi)，幾乎沒(méi)損耗（只有漏電流引起的一點(diǎn)損耗）。其中又以紅色拐彎地方損耗最大（Qgs充電將近結(jié)束，快到米勒平臺(tái)和剛進(jìn)入米勒平臺(tái)這個(gè)過(guò)程發(fā)熱功率最大（更粗線表示）。

所以一定充電電流下，紅色標(biāo)注區(qū)間總電荷小的管子會(huì)很快度過(guò)，這樣發(fā)熱區(qū)間時(shí)間就短，總發(fā)熱量就低。所以理論上選擇Qgs和Qgd小的mos管能快速度過(guò)開(kāi)關(guān)區(qū)。

導(dǎo)通內(nèi)阻。Rds（on）。這個(gè)耐壓一定情況下是越低越好。不過(guò)不同廠家標(biāo)的內(nèi)阻是有不同測(cè)試條件的。測(cè)試條件不同，內(nèi)阻測(cè)量值會(huì)不一樣。同一管子，溫度越高內(nèi)阻越大（這是硅半導(dǎo)體材料在mos制造工藝的特性，改變不了，能稍改善）。所以大電流測(cè)試內(nèi)阻會(huì)增大（大電流下結(jié)溫會(huì)顯著升高），小電流或脈沖電流測(cè)試，內(nèi)阻降低（因?yàn)榻Y(jié)溫沒(méi)有大幅升高，沒(méi)熱積累）。有的管子標(biāo)稱典型內(nèi)阻和你自己用小電流測(cè)試幾乎一樣，而有的管子自己小電流測(cè)試比標(biāo)稱典型內(nèi)阻低很多（因?yàn)樗臏y(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是大電流）。當(dāng)然這里也有廠家標(biāo)注不嚴(yán)格問(wèn)題，不要完全相信。

總結(jié)：所以選擇標(biāo)準(zhǔn)是------------找Qgs和Qgd小的mos管，并同時(shí)符合低內(nèi)阻的mos管。