高電流測試

測試配置類似于圖3中所示的物理設置。表6總結了觀察到的結果，圖17至圖20顯示各種電壓、頻率和負載下的測試性能和結果。

輸出負載電阻視各個測試而異，如表1所示，其中2 Ω到30 Ω負載用于改變電流。測量VOUT，也就是R1兩端的電壓。

測試7在300 V、10 kHz開關頻率下執(zhí)行，占空比為25%。測試8在400 V、10 kHz開關頻率下執(zhí)行，占空比為25%。

表6.高電流測試

1 PIN是輸入電源(IIN × VIN)，其中VIN是直流電源電壓。

開關IGBT的性能圖和負載測試

此部分測試結果顯示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目標電壓下的開關波形。

去飽和測試

系統(tǒng)測試電路的電氣設置如圖21所示。直流電壓施加于半橋兩端的輸入，900 μF的解耦電容添加到輸入級。此設置用于測試去飽和檢測。在此應用中，最大IC = 150 A，其中IC是通過T1和T2的電流。

高端開關IGBT (T1)被83 μH的電感旁路，T1開關必須關閉。

低端開關IGBT (T2)每500 ms被驅(qū)動50 μs。

表7詳細列出了去飽和測試設置的功率器件。

圖22顯示電感L1中電流135 A時的開關動作，圖23顯示電感L1中電流139 A時的去飽和檢測。

表7.功率器件去飽和測試的測試設置

圖21.系統(tǒng)測試電路的電氣設置

應用原理圖

圖24.ADuM4135柵極驅(qū)動器板原理圖

結論

ADuM4135柵極驅(qū)動器具有優(yōu)異的電流驅(qū)動能力，合適的電源范圍，還有100 kV/μs的強大CMTI能力，在驅(qū)動IGBT時提供優(yōu)良的性能。

本應用筆記中的測試結果提供的數(shù)據(jù)表明，ADuM4135評估板是驅(qū)動IGBT的高壓應用的解決方案。