高電流測(cè)試

測(cè)試配置類(lèi)似于圖3中所示的物理設(shè)置。表6總結(jié)了觀察到的結(jié)果，圖17至圖20顯示各種電壓、頻率和負(fù)載下的測(cè)試性能和結(jié)果。

輸出負(fù)載電阻視各個(gè)測(cè)試而異，如表1所示，其中2 Ω到30 Ω負(fù)載用于改變電流。測(cè)量VOUT，也就是R1兩端的電壓。

測(cè)試7在300 V、10 kHz開(kāi)關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。測(cè)試8在400 V、10 kHz開(kāi)關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。

表6.高電流測(cè)試

1 PIN是輸入電源(IIN × VIN)，其中VIN是直流電源電壓。

開(kāi)關(guān)IGBT的性能圖和負(fù)載測(cè)試

此部分測(cè)試結(jié)果顯示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目標(biāo)電壓下的開(kāi)關(guān)波形。

去飽和測(cè)試

系統(tǒng)測(cè)試電路的電氣設(shè)置如圖21所示。直流電壓施加于半橋兩端的輸入，900 μF的解耦電容添加到輸入級(jí)。此設(shè)置用于測(cè)試去飽和檢測(cè)。在此應(yīng)用中，最大IC = 150 A，其中IC是通過(guò)T1和T2的電流。

高端開(kāi)關(guān)IGBT (T1)被83 μH的電感旁路，T1開(kāi)關(guān)必須關(guān)閉。

低端開(kāi)關(guān)IGBT (T2)每500 ms被驅(qū)動(dòng)50 μs。

表7詳細(xì)列出了去飽和測(cè)試設(shè)置的功率器件。

圖22顯示電感L1中電流135 A時(shí)的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，圖23顯示電感L1中電流139 A時(shí)的去飽和檢測(cè)。

表7.功率器件去飽和測(cè)試的測(cè)試設(shè)置

圖21.系統(tǒng)測(cè)試電路的電氣設(shè)置

應(yīng)用原理圖

圖24.ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器板原理圖

結(jié)論

ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器具有優(yōu)異的電流驅(qū)動(dòng)能力，合適的電源范圍，還有100 kV/μs的強(qiáng)大CMTI能力，在驅(qū)動(dòng)IGBT時(shí)提供優(yōu)良的性能。

本應(yīng)用筆記中的測(cè)試結(jié)果提供的數(shù)據(jù)表明，ADuM4135評(píng)估板是驅(qū)動(dòng)IGBT的高壓應(yīng)用的解決方案。