有消息稱，德國企業(yè)博世目前正在研發(fā)碳化硅半導體，用以進一步提升電動車的能源使用效率，預(yù)計該半導體材料將于2020年開始投產(chǎn)。

碳化硅被業(yè)界普遍認為是下一代功率半導體材料，它具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢。相比如今的IGBT功率半導體，它的發(fā)熱更低，效率更高，節(jié)省的能耗能夠為電動車帶來約6%的續(xù)航里程提升。

更好的電池技術(shù)并不是擴大電動汽車續(xù)航力的唯一方法，芯片材料的重組可能使續(xù)航里程增長6%。博世計劃從2020年開始生產(chǎn)碳化硅半導體，提供利用更高效的電導率，來減少電動汽車和混合動力汽車中的電力電子設(shè)備在道路上浪費的電力。

博世表示，消費者很容易將電動汽車行駛距簡單化，并認為這一切都取決于攜帶的電池組有多大。然而，在現(xiàn)實世界中，擁有同樣大小電池的汽車可能有非常不同的行駛距離。電源管理是影響行駛距離最重要因素之一，尤其是電池中存儲的電能如何有效傳輸?shù)诫姍C。該過程最浪費的副作用之一是發(fā)熱。電池，負責功率控制和傳輸?shù)碾娮釉O(shè)備以及電動機本身都將一些能量轉(zhuǎn)化為熱量，而不是行駛里程。

博世研發(fā)的一種新型的碳化硅半導體設(shè)計，導電性好于現(xiàn)有芯片，這要歸功于其制造過程中包含了更多的碳原子。這意味著電子器件可以實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，同時還可以減少熱量形式的功耗。博世聲稱，這種芯片將能源轉(zhuǎn)化為熱量的問題減少50%。

該公司表示，在電動汽車中使用相同大小的電池時，使用碳化硅半導體的電動汽車行駛距離可以再提高6%。例如，在額定250英里的電動車輛中，使用碳化硅半導體的電動汽車行駛距離將增加15英里。