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X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能

2019-10-17 17:39 來源:X-FAB 編輯:電源網(wǎng)

全球領先的模擬/混合信號和專業(yè)代工廠商X-FAB Silicon Foundries, 今天宣布在廣泛使用的XT018 BCD-on-SOI平臺上提供基于SONOS的Flash和嵌入式EEPROM。這些非易失性存儲器(NVM)的添加將拓寬更多的應用范圍,在這些應用中,需要高壓額定值和高溫承受能力,并且提升運算能力。

越來越多的應用需要基于微控制器(microcontroller-base)的解決方案,其中包括嵌入式Flash和EEPROM與高壓(高達100V),高溫和抗ESD / EMC能力相結(jié)合。EEPROM非常適合需要多次重復編程內(nèi)存塊(在晶圓級,以及在現(xiàn)場應用中)的情況。X-FAB的SONOS技術支持在-40°C到175°C的溫度下工作,符合汽車AEC-Q100 “0”級質(zhì)量標準。

新的X-FAB NVM方案包括一個32kBytes的Flash,以及4kbit的EEPROM。這兩種元件均采用了公司的SONOS技術,并充分利用了180nm體硅工藝(XH018)所展示的可靠性和經(jīng)驗。Flash和EEPROM子塊可以在1.8V單電壓下工作,并且可以通過共享的同一外設接口獨立操作,從而實現(xiàn)最佳的封裝。

為確保數(shù)據(jù)完整性,該NVM方案包含了錯誤代碼校正(ECC)功能,分別在Flash上進行單位校正和在EEPROM上進行雙位校正。NVM模塊還帶有嵌入式測試接口,允許直接操作Flash和EEPROM IP。通過這種方式,客戶可以受益于X-FAB的NVM晶圓級測試和封裝設備測試功能,以縮短調(diào)試和上市時間。

這新增NVM方案僅在XT018基本流程中增加了四個額外的工藝層,特別適合于一系列不同的應用領域,例如汽車,工業(yè),物聯(lián)網(wǎng)和醫(yī)療。此外,這種BCD-on-SOI提供的超低漏電性能將在物聯(lián)網(wǎng)的遠程自主傳感器接口和活體健康監(jiān)測應用等新興應用中證明其價值。

X-FAB NVM市場經(jīng)理Nando Basile表示:“將Flash功能引入我們的XT018平臺,為我們在高溫下需要智能控制的汽車動力傳動系統(tǒng)應用領域提供了明顯的優(yōu)勢?!?“這也意味著,我們完全有能力應對醫(yī)療和工業(yè)領域開始出現(xiàn)的眾多機遇?!?

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