Cree 旗下公司 Wolfspeed 宣布推出新型 15-mΩ 和 60-mΩ 650V 碳化硅 MOSFET，采用最新 C3MTM 碳化硅技術(shù)，為高效率和高功率密度解決方案提供業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。盡管當(dāng)今應(yīng)用對效率和性能的要求日益提高，但 Wolfspeed  650V 碳化硅 MOSFET 有強(qiáng)大實(shí)力應(yīng)對這一挑戰(zhàn)。Wolfspeed  650V 碳化硅 MOSFET 系列的特點(diǎn)包括：

高效率

·低開關(guān)損耗

·低導(dǎo)通損耗

·低反向恢復(fù)損耗

高功率密度

·更輕重量

·更小尺寸

·更少元件數(shù)量

高效率

在升壓轉(zhuǎn)化器中，C3M0060065K與競品的比較

Wolfspeed 650V MOSFET同時實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗和低導(dǎo)通損耗

業(yè)界領(lǐng)先性能：不同公司碳化硅方案比較

標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻RDS(on) vs.溫度

高功率密度

比之硅基方案，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)70%功率密度提升

系統(tǒng)成本對比

在6.6kW雙向充電機(jī)設(shè)計(jì)中降低總體系統(tǒng)成本

Wolfspeed 650V MOSFET與競品技術(shù)比較

在性能方面，Wolfspeed 碳化硅是出類拔萃的。無論是與傳統(tǒng)硅基方案、氮化鎵 MOSFET，還是與競爭對手的碳化硅產(chǎn)品相比，Wolfspeed 都表現(xiàn)出色

650V 碳化硅 vs. 硅

·減少1/2導(dǎo)通損耗

·降低40倍體二極管反向恢復(fù)電荷

·減少75%開關(guān)損耗，支持在更高頻率時實(shí)現(xiàn)更高效率

·高達(dá)70%功率密度提升

·優(yōu)異的散熱性能

650V碳化硅 vs. 硅基氮化鎵

·減少超過1/2導(dǎo)通損耗

·行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝

·穩(wěn)固的柵極驅(qū)動

·久經(jīng)現(xiàn)場檢驗(yàn)的可靠性

·雪崩能力

Wolfspeed 650V碳化硅 vs 競品碳化硅

·在工作溫度范圍內(nèi)更小的導(dǎo)通電阻增加

·低輸出電容

·高開關(guān)頻率

·易于驅(qū)動

650V MOSFET應(yīng)用

Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 是為滿足當(dāng)今前沿技術(shù)的需求而打造。從電動汽車車載充電機(jī)（OBC），到不間斷電源（UPS）和微型逆變器等，Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 都足夠耐用、足夠可靠、足夠強(qiáng)大，適用于各種應(yīng)用：

·工業(yè)開關(guān)模式電源（SMPS）

·數(shù)據(jù)中心

·通訊電源

·車載充電機(jī)（OBC）

·不間斷電源（UPS）

·儲能系統(tǒng)（ESS）

·太陽能光伏逆變器

產(chǎn)品和參考設(shè)計(jì)方案

參考設(shè)計(jì)

研究Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET及其配套和參考設(shè)計(jì)，更多了解Wolfspeed碳化硅MOSFET技術(shù)如何幫助您開發(fā)更出色的產(chǎn)品，滿足當(dāng)今現(xiàn)代器件的要求。

CRD-06600FF065N — 6.6-kW 高功率密度雙向AC/DC + DC/DC電池充電機(jī)參考設(shè)計(jì)

·展示科銳650 V, 60 mΩ (C3M?) 碳化硅MOSFET在6.6kW雙向變流器中的使用，針對高效率和高功率密度車載充電應(yīng)用

·Demo板包括雙向圖騰柱PFC (AC/DC)級和基于CLLC拓?fù)湟约翱勺冎绷髂妇€電壓的隔離型雙向DC/DC級

·采用高開關(guān)頻率工作，使得demo板可以更小、更輕和總體更高性價比

·科銳6.6 kW高功率密度車載充電機(jī)demo板可以承受輸入90V AC - 265V AC并提供輸出250V DC - 450V DC，在充電和反饋模式下實(shí)現(xiàn)> 96.5%效率

·這一demo板的主要目標(biāo)應(yīng)用包括：電動汽車充電和儲能

·文件包括BOM物料清單、簡略圖、電路板設(shè)計(jì)和應(yīng)用指南

KIT-CRD-3DD065P — DC/DC 升降壓轉(zhuǎn)化器評估套件

·評估和優(yōu)化Wolfspeed C3M? 碳化硅MOSFET和肖特基二極管的穩(wěn)態(tài)和高速開關(guān)性能

·分析多用途功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械脑u估板，例如同步/異步升壓或降壓轉(zhuǎn)化器，半橋式和全橋式（需要注意的是，全橋式拓?fù)湫枰?個評估套件）

·板上尺寸同時適合3引腳或4引腳TO-247封裝的C3M? 碳化硅 MOSFET

·同時兼容TO-247和TO-220封裝的碳化硅肖特基二極管

·在升壓或降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲羞\(yùn)行評估板，不需要額外的電容器

·在板上為每個C3M? 碳化硅MOSFET都提供了2個專用柵極驅(qū)動

·在測試硬件中包括了采用2個采用TO-247-4封裝的1200 V, 75mΩ C3M?碳化硅MOSFET

·現(xiàn)已可購買

CRD-06600DD065N — 6.6 kW高頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器

·展示科銳650 V, 60 mΩ (C3M?) 碳化硅MOSFETs在6.6 kW高頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器中的使用，針對高功率密度應(yīng)用

·Demo板由包括初級端基于全橋級和次極端基于異步整流級的DC-DC LLC拓?fù)錁?gòu)成

·采用高頻率工作，使得demo板可以更小、更輕和總體更高性價比

·科銳6.6 kW高頻率demo板可以承受輸入380 V DC - 420 V DC，并提供輸出400 VDC，實(shí)現(xiàn)> 96%效率

·這一demo板的主要目標(biāo)應(yīng)用包括：工業(yè)電源和電動汽車充電機(jī)

·文件包括BOM物料清單、簡略圖、電路板設(shè)計(jì)和應(yīng)用指南

CRD-02AD065N — 2.2 kW高效率(80+ Titanium) 無橋式圖騰柱PFC的碳化硅 MOSFET

·基于科銳最新(C3M?) 650 V 60 mΩ 碳化硅MOSFET的高效率和低成本2.2 kW無橋式圖騰柱PFC拓?fù)浣鉀Q方案

·在所有負(fù)載條件下，可輕松滿足Titanium標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)> 98.5%效率和總諧波失真THD < 4%

·基于現(xiàn)有傳感方案的創(chuàng)新型電阻器

·在所有負(fù)載條件下，過零檢測無失真電感電流

·采用通用型二極管代替低頻率開關(guān)，降低BOM物料成本

·這一demo板的主要目標(biāo)應(yīng)用包括：服務(wù)器、通訊和工業(yè)電源供應(yīng)單元（PSU）

·文件包括BOM物料清單、簡略圖、電路板設(shè)計(jì)和應(yīng)用指南