在5G、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等新基建戰(zhàn)略方向下，以SiC、GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)競爭焦點(diǎn)。Cree Wolfspeed 是全球領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體創(chuàng)新者和制造商，提供經(jīng)過驗(yàn)證的SiC功率和GaN射頻解決方案；泰克科技作為測試儀器及方案的提供商，提供解決傳統(tǒng)測試難題的創(chuàng)新方案。雙方在寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展與測試有很多共同的話題和研究，攜手分享契機(jī)與挑戰(zhàn)。

寬禁帶半導(dǎo)體具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，切合節(jié)能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰(zhàn)略需求，是支撐新一代移動(dòng)通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件，已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)競爭焦點(diǎn)。

不同技術(shù)的功率器件的區(qū)別，下圖可以看到傳統(tǒng)的Si基的IGBT或者M(jìn)OSFET管要么分布在高壓低速的區(qū)間，要么分布在低壓高速的區(qū)間，市面上傳統(tǒng)的探測技術(shù)可以覆蓋器件特性的測試需求。寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC / GaN的技術(shù)趨于成熟，高速，高耐壓，抗高溫，體積小，低功耗被越來越多的應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品上，從性能區(qū)別于傳統(tǒng)Si基的功率器件卻大大擴(kuò)展了分布的區(qū)間，覆蓋以往沒有出現(xiàn)過的高壓高速區(qū)域，這就對(duì)器件的測試工具提出非常嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。Cree Wolfspeed SiC 器件經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì)，幫助設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)更高效率、更高開關(guān)頻率、減小系統(tǒng)尺寸、降低系統(tǒng)成本，提供業(yè)界領(lǐng)先的更低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，是包括電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、高性能工業(yè)電源、服務(wù)器/電信電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等在內(nèi)諸多應(yīng)用的理想選擇。

12月23日，Cree Wolfspeed與泰克工程師將聯(lián)手登臺(tái)，共同出鏡為大家講解寬禁帶半導(dǎo)體器件的使用特點(diǎn)與產(chǎn)品優(yōu)勢，在車載充電機(jī)（OBC）應(yīng)用中給系統(tǒng)帶來的好處，并結(jié)合實(shí)際波形對(duì)比傳統(tǒng)IGBT在關(guān)鍵參數(shù)上的優(yōu)勢，以及如何準(zhǔn)確的測試驗(yàn)證關(guān)鍵波形來優(yōu)化設(shè)計(jì)，解答關(guān)于寬禁帶半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與測試難題。直播入口http://live.vhall.com/754653483，或掃描如下二維碼注冊(cè)直播