
奈梅亨,2022年6月16日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出兩款經(jīng)優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護(hù)二極管件,適用于高速數(shù)據(jù)線中的重定時器和信號中繼器。PESD2V8Y1BSF專為保護(hù)USB4 (Thunderbolt)接口而設(shè)計,而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產(chǎn)品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術(shù),集低鉗位、低電容和高穩(wěn)健性優(yōu)勢于一身。
重定時器和信號中繼器是設(shè)計高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短,從而降低寄生電感,但也會意外地降低整體系統(tǒng)級ESD穩(wěn)健性。PESD2V8Y1BSF和PESD4V0Y1BCSF較低的超快傳輸線路脈沖(vfTLP)峰值鉗位電壓,甚至低于標(biāo)準(zhǔn)I(V) TLP曲線中無明顯的觸發(fā)電壓的USB4保護(hù)解決方案。這有助于補(bǔ)償保護(hù)器件和重定時器之間減少的電感,從而提高整體系統(tǒng)級ESD穩(wěn)健性。為達(dá)到ESD的預(yù)算損耗建議值,這兩款器件均可提供超低插入損耗(10 GHz下為-0.29 dB)和回波損耗(10 GHz下為-20.6 dB)。與其他解決方案不同的是,電容不會隨工作電壓增加,可提供完整的RF性能直到反向截止電壓。
相較于其他ESD保護(hù)二極管件,PESD2V8Y1BSF和PESD4V0Y1BCSF可直接放置在所保護(hù)器件的連接器旁邊,因此可提供更大的設(shè)計靈活性。這意味著交流耦合電容也會受到保護(hù)。此外,它將大部分線路電感置于ESD保護(hù)和被保護(hù)器件之間,以優(yōu)化系統(tǒng)的ESD性能。Nexperia高級產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示:“Nexperia通過提供盡可能降低ESD保護(hù)對總預(yù)算影響的器件,幫助設(shè)計工程師在預(yù)算有限的情況下,滿足高速USB4數(shù)據(jù)線的插入損耗和回波損耗要求。這兩款器件在優(yōu)化系統(tǒng)級ESD穩(wěn)健性和RF性能之間實現(xiàn)了出色的平衡。”
為了向下兼容可通過USB Type-C連接的舊接口標(biāo)準(zhǔn)(如USB3.2),PESD2V8Y1BSF設(shè)有2.8 V的反向截止電壓VRWM,而PESD4V0Y1BCSF的VRWM為4 V,因此還可適用于HDMI 2.1。兩款器件均使用TrEOS技術(shù),其RF性能在動作電壓范圍內(nèi)均不會下降。除了USB4和HDMI 2.1以外,兩款器件還可用于保護(hù)PCIe和DisplayPort接口。
關(guān)于新款保護(hù)二極管件的更多信息,包括產(chǎn)品規(guī)范和數(shù)據(jù)手冊,請訪問:
https://www.nexperia.com/USB-C_ESD
https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/Selecting-ESD-protection-for-USB4TM-data-lines.html
聲明:本內(nèi)容為作者獨立觀點,不代表電源網(wǎng)。本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容,如需轉(zhuǎn)載,請注明出處;本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容(文章、圖片、視頻)等資料版權(quán)歸原作者所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片,未能及時和您確認(rèn),避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,請電郵聯(lián)系我們,以便迅速采取適當(dāng)處理措施;歡迎投稿,郵箱∶editor@netbroad.com。
大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi和Nexperia產(chǎn)品的4.5W非隔離輔助電源方案 | 24-07-02 16:44 |
---|---|
貿(mào)澤開售Nexperia NEX1000xUB電源IC 助力打造更出色的TFT-LCD應(yīng)用 | 24-03-13 16:07 |
Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET | 23-12-11 17:43 |
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn) | 23-11-30 14:34 |
Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系 | 23-11-14 15:49 |
微信關(guān)注 | ||
![]() |
技術(shù)專題 | 更多>> | |
![]() |
技術(shù)專題之EMC |
![]() |
技術(shù)專題之PCB |