2022 年 6 月 30 日，中國(guó)—— 依托在串行EEPROM技術(shù)領(lǐng)域的積累和沉淀，意法半導(dǎo)體率先業(yè)界推出了串行頁EEPROM （Serial Page EEPROM）。這款全新類別的EEPROM 是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲(chǔ)器，擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨(dú)步業(yè)界，前所未有。意法半導(dǎo)體新的串行頁EEPROM產(chǎn)品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候增加16Mbit 和 8Mbit 產(chǎn)品。

這個(gè)創(chuàng)新架構(gòu)讓設(shè)計(jì)人員能夠在同一存儲(chǔ)器上管理固件和靈活存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，這種組合在以前是沒有的。更高的存儲(chǔ)器集成度可以減少終端產(chǎn)品的物料清單(BoM)成本，縮短上市時(shí)間，增加應(yīng)用價(jià)值，并實(shí)現(xiàn)尺寸更小的超低功耗模塊，從而延長(zhǎng)電池使用壽命。這些器件非常適合實(shí)現(xiàn)多合一非易失性存儲(chǔ)器，用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)模塊、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、電子價(jià)簽、智能表計(jì)和 5G 光纖模塊等新系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

作為一個(gè)全新的開發(fā)成果，串行頁EEPROM 整合意法半導(dǎo)體的e-STM 40nm非易失性存儲(chǔ)器(NVM)單元專利技術(shù)與新的智能存儲(chǔ)頁架構(gòu)，兼?zhèn)涓叽嫒萘?、字?jié)擦寫靈活性和高耐擦寫次數(shù)，既有利于固件管理，又能簡(jiǎn)化數(shù)據(jù)記錄。新產(chǎn)品還具有讀取、擦除和寫入時(shí)間短的特點(diǎn)，上傳下載速度快可以降低制造成本，減少應(yīng)用停機(jī)時(shí)間?？焖偕想姾退穆份敵鲎x操進(jìn)一步加快應(yīng)用喚醒速度。

集成這種新的簡(jiǎn)化的存儲(chǔ)器可優(yōu)化企業(yè)擁有成本，提高產(chǎn)品易用性，簡(jiǎn)化軟件開發(fā)，提升產(chǎn)品可靠性。串行頁 EEPROM是一個(gè)成本比 FRAM 更低的非易失性存儲(chǔ)器解決方案，功耗比串行閃存（serial Flash）更低，功能和易用性比Dataflash產(chǎn)品更好。

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