PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓，為敏感系統(tǒng)的保護提供了一種高效的解決方案

奈梅亨，2022年12月19日：基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。

Nexperia高級產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示：“Nexperia開發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt?、HDMI 2.1和通用閃存等應用的高性能ESD保護解決方案。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速開關(guān)速度可為高速數(shù)據(jù)線提供極為有效的ESD峰值抑制性能，而其低觸發(fā)電壓有助于顯著降低IEC61000-4-5 8/20 μs浪涌脈沖所含的能量?！?

單數(shù)據(jù)線PESD4V0Y1BBSF采用低電感DSN0603-2封裝，觸發(fā)電壓為6.3 V TLP，典型器件魯棒性和電容分別為25 A 8/20 μs和0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF提供的鉗位電壓在16 A 100 ns TLP時僅為2.4 V，在20 A 8/20 μs浪涌時僅為3.4 V。雙數(shù)據(jù)線PESD4V0X2UM采用緊湊型DFN1006-3封裝，觸發(fā)電壓為8 V，典型器件魯棒性超過14 A 8/20 μs，典型器件電容為0.82 pF。

雖然這兩種器件都可為USB2.0 D+/D-線路提供出色的保護作用，但PESD4V0Y1BBSF的S21通帶超過7.5 GHz，因此適用于5 Gbps時的USB3.x。這兩種器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。

關(guān)于新款器件的更多信息，包括產(chǎn)品規(guī)范和數(shù)據(jù)手冊，請訪問：nexperia.com/pip/PESD4V0Y1BBSF以及nexperia.com/pi訪問nexperia.com/xx。