
基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計(jì)顯著提高了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率(比功率)增加了一倍以上。該逆變器非常微型,可集成到電機(jī)外殼中,從而實(shí)現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V,可提供高達(dá)60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,包括電動(dòng)自行車、電動(dòng)滑板車、無人機(jī)、機(jī)器人和直流伺服電機(jī)。
EPC9194演示板采用 3mm x 5mm QFN 封裝的6個(gè)100 V eGaN FET(EPC2302)。該板的尺寸僅為130 mm x 100 mm(包括連接器)。 EPC2302 eGaN FET具有極小的RDS(on)(僅為1.8 mOhm)和非常小的QG、QGD 和 QOSS參數(shù),從而降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。該封裝采用耐熱增強(qiáng)型QFN封裝,頂部裸露以高效地散熱至散熱器,而可濕性側(cè)面則易于檢查。
與具有相同 RDS(on)、工作在16 kHz PWM 頻率下、基于Si MOSFET的解決方案相比,這個(gè)采用6個(gè)EPC2302的參考設(shè)計(jì)在20 ARMS和100 kHz PWM 頻率下的估計(jì)總功耗減少了一半。100 kHz PWM 頻率可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)純正弦電流、減少電機(jī)中的振動(dòng)和失真,從而使得電機(jī)系統(tǒng)效率提高約7%。 此外,100 kHz PWM頻率可以減少輸入濾波器和消除/減少電解電容器。
EPC9194集成了所有支持整個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器所需的關(guān)鍵電路功能,包括柵極驅(qū)動(dòng)器、用于輔助管理電源的穩(wěn)壓輔助電源軌、電壓和溫度感應(yīng)、精確的電流感應(yīng)和保護(hù)功能。
在48 V 輸入電壓和100 kHz PWM 頻率下,該電路板在不帶散熱器、溫升60°C時(shí),可處理穩(wěn)態(tài)條件下的20 ARMS電流。在帶散熱器時(shí),則可處理穩(wěn)態(tài)條件下的30 ARMS電流。
EPC9194與不同制造商的各種控制器兼容,可實(shí)現(xiàn)快速開發(fā)和縮短設(shè)計(jì)周期。EPC提供控制接口板 (EPC9147X),以便使用常見的BLDC電機(jī)來操作該逆變器參考設(shè)計(jì)。EPC9194KIT包含EPC9194評估板和控制器電路板,讓該板可以輕松連接至微控制器設(shè)計(jì)套件:
EPC9147A 控制器電路板,用于連接至Microchip的熱門微控制器
EPC9147C 控制器電路板,用于連接至ST的熱門微控制器
EPC9147B 控制器電路板,用于連接至TI的熱門微控制器
EPC9147E 控制器電路板,用于連接至各種通用的微控制器
宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官Alex Lidow說:“設(shè)計(jì)人員可以采用我們的GaN FET制造出更輕、更高效、以電池供電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,適用于電動(dòng)出行和機(jī)器人應(yīng)用。氮化鎵器件使電機(jī)系統(tǒng)可以更小、更輕、更安靜、更強(qiáng)大、更精確而同時(shí)改善EMI、減少使用EMI濾波和電容器,以及不需要使用電解電容器和輸入濾波電感器?!?
價(jià)格和供貨情況
EPC9194參考設(shè)計(jì)板的單價(jià)為909美元,可立即從Digi-Key發(fā)貨:https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc
有興趣使用氮化鎵器件來替代硅MOSFET的設(shè)計(jì)人員可以使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具,根據(jù)您所需的工作條件,就可找到建議的氮化鎵替代方案。交叉參考工具可在這里找到:https://epc-co.com/epc/DesignSupport/GaNPowerBench/CrossReferenceSearch.aspx
關(guān)于宜普電源轉(zhuǎn)換公司
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN®)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商,氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目標(biāo)應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、用于電動(dòng)出行、機(jī)器人和無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外,宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列,為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。eGaN®是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊商標(biāo)。詳情請瀏覽我們的網(wǎng)站www.epc-co.com和觀看優(yōu)酷。
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