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EPC將在APEC 2024展示最前沿的電力電子解決方案

EPC的氮化鎵專家將在APEC展會(huì)展示用于各種應(yīng)用的新型GaN FET和IC產(chǎn)品
2024-02-26 13:37 來源:EPC 編輯:電源網(wǎng)

作為增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN®) FET 和 IC 的全球領(lǐng)導(dǎo)者,宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)將在國(guó)際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)(APEC 2024)上重點(diǎn)展示基于EPC氮化鎵器件的電源轉(zhuǎn)換解決方案。APEC展覽會(huì)將于2024年2月25日至29日在美國(guó)加利福尼亞州長(zhǎng)灘舉行,業(yè)界專家和領(lǐng)袖將匯聚于此,共同探討電力電子領(lǐng)域的最新技術(shù)進(jìn)展。

APEC 2024 PR Graphic_CN.jpg

在APEC展會(huì)上,EPC將展示其業(yè)界最全面的全系列產(chǎn)品和先進(jìn)功率轉(zhuǎn)換方案,其在效率、可靠性和性能方面,讓DCDC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和再生能源等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)無可比擬的優(yōu)勢(shì)。

歡迎大家蒞臨參觀EPC位于展位號(hào)#1045的展臺(tái):

安排會(huì)議:向我們的氮化鎵專家學(xué)習(xí)如何優(yōu)化您的功率系統(tǒng)的策略。 如需在展會(huì)期間安排會(huì)議,請(qǐng)發(fā)送電子郵件至 info@epc-co.com。

EPC展位 #1045:我們將展示在多場(chǎng)景中氮化鎵產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的功率轉(zhuǎn)換方案。

與EPC專家團(tuán)隊(duì)作技術(shù)交流,深入了解“GaN First Time Right”設(shè)計(jì)方法。

“Change My Mind挑戰(zhàn)”為您而設(shè),了解EPC GaN FET如何比等效硅MOSFET的價(jià)格更低。

參觀機(jī)器人、無人機(jī)和人工智能服務(wù)器等現(xiàn)場(chǎng)演示,親身體驗(yàn) EPC 氮化鎵產(chǎn)品的卓越性能和效率。

技術(shù)演講:參加我們的技術(shù)會(huì)議,深入了解基于氮化鎵元件功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的最新趨勢(shì)和進(jìn)展:

超快速開關(guān) — 用于太陽能系統(tǒng)中,開關(guān)最快的功率FET

行業(yè)會(huì)議 IS11.5

2024年2月28日星期三上午10:40

演講者:John Glaser博士

低壓GaN FET在并聯(lián)和瞬態(tài)工作時(shí)的實(shí)驗(yàn)研究

行業(yè)會(huì)議 IS16.4

2024年2月28日星期三下午2:45

演講者:Marco Palma

eGaN 集成電路作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器的構(gòu)建模塊

行業(yè)會(huì)議 IS21.1

2024年2月29日星期四上午8:30

演講者:Marco Palma

使用“測(cè)試器件至失效”方法準(zhǔn)確預(yù)測(cè)常用DCDC轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲蠫aN HEMT的器件壽命

行業(yè)會(huì)議IS22.5

2024年2月29日星期四上午10:30

演講者:張聲科博士

新興應(yīng)用-人工智能需要采用氮化鎵器件以實(shí)現(xiàn)具有最高的性能、效率和功率密度的DCDC轉(zhuǎn)換

行業(yè)會(huì)議 IS27.1

2024年2月29日星期四下午1:30

演講者:Andrea Gorgerino

EPC全球銷售和營(yíng)銷副總裁 Nick Cataldo說:“在 APEC 展覽會(huì)上,我們很高興展示氮化鎵技術(shù)的最新進(jìn)展,支持我們的客戶產(chǎn)品在多場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)更高的效率和性能?!?

知道更多關(guān)于EPC在APEC展覽會(huì)上的展區(qū)詳情,請(qǐng)瀏覽https://epc-co.com/epc/about-epc/events-and-news/apec-2024.

關(guān)于宜普電源轉(zhuǎn)換公司

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN®)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商,氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目標(biāo)應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、用于電動(dòng)出行、機(jī)器人和無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外,宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列,為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。eGaN®是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊(cè)商標(biāo)。詳情請(qǐng)瀏覽我們的網(wǎng)站www.epc-co.com和觀看優(yōu)酷。

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