中國北京（2025年3月12日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實現(xiàn)無縫兼容，此產(chǎn)品的面世將進一步強化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場對于先進嵌入式存儲解決方案日益增長的需求，成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。 

GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供電電壓為1.8V，IO接口電壓為1.2V，支持單通道、雙通道、四通道、雙沿四通道模式，最高時鐘頻率為STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的寫入時間典型值為0.15ms，扇區(qū)擦除時間為30ms，其與常規(guī)1.2V單電壓供電的Flash解決方案相比，數(shù)據(jù)讀取性能提升了20%，寫入速度提升60%，擦除時間縮短30%。憑借這些技術(shù)優(yōu)勢，GD25NE系列成為新興嵌入式應(yīng)用的卓越之選。

為進一步滿足能耗敏感型應(yīng)用的需求，GD25NE系列采用超低功耗設(shè)計。其深度睡眠功耗電流低至0.2µA，在雙沿四通道104MHz頻率下的讀取電流低至9mA，擦寫電流低至8mA。與傳統(tǒng)的1.8V Flash解決方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口設(shè)計可將功耗降低50%。這一優(yōu)化的電源架構(gòu)不僅顯著提升了能效，還保持了Flash器件的高性能表現(xiàn)，同時簡化了SoC的系統(tǒng)設(shè)計。

“GD25NE系列作為雙電源SPI NOR Flash品類的代表，實現(xiàn)了高性能與超低功耗的完美平衡，”兆易創(chuàng)新副總裁、存儲事業(yè)部總經(jīng)理蘇如偉表示，“憑借顯著降低的功耗、更快的讀取速度以及更高的擦寫效率，GD25NE系列能夠滿足新一代1.2V SoC持續(xù)演進的需求。未來，兆易創(chuàng)新還將不斷拓展雙電源SPI NOR Flash的產(chǎn)品組合，致力于為客戶提供更高效、更可靠、更前沿的閃存解決方案，助力創(chuàng)新應(yīng)用的發(fā)展。”

目前，兆易創(chuàng)新GD25NE系列可提供從32Mb到256Mb的多種容量選擇，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封裝選項。該系列首款產(chǎn)品——256Mb的GD25NE256H現(xiàn)已開始提供樣片。其余32Mb至128Mb容量的產(chǎn)品也將陸續(xù)推出。如需了解詳細(xì)信息及產(chǎn)品定價，請聯(lián)系當(dāng)?shù)劁N售代表。

關(guān)于兆易創(chuàng)新（GigaDevice）

兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司（股票代碼603986）是全球領(lǐng)先的Fabless芯片供應(yīng)商，公司成立于2005年4月，總部設(shè)于中國北京，在全球多個國家和地區(qū)設(shè)有分支機構(gòu)，營銷網(wǎng)絡(luò)遍布全球，提供優(yōu)質(zhì)便捷的本地化支持服務(wù)。兆易創(chuàng)新致力于構(gòu)建以存儲器、微控制器、傳感器、模擬產(chǎn)品為核心驅(qū)動力的完整生態(tài)，為工業(yè)、汽車、計算、消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、移動應(yīng)用以及通信領(lǐng)域的客戶提供完善的產(chǎn)品技術(shù)和服務(wù)，已通過ISO26262:2018汽車功能安全最高等級ASIL D體系認(rèn)證，并獲得IEC 61508功能安全產(chǎn)品認(rèn)證以及ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001等體系認(rèn)證和鄧白氏認(rèn)證。同時，公司與多家世界知名晶圓廠、封裝測試廠建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同推進半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。欲了解更多信息，請訪問：www.GigaDevice.com。

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