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英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術, 實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

2025-05-06 17:23 來源:英飛凌 編輯:電源網

【2025年5月6日, 德國慕尼黑訊】為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其碳化硅(SiC)產品組合,推出了新型CoolSiC™ JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性,使其成為先進固態(tài)保護與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制,CoolSiC™ JFET可在各種工業(yè)和汽車應用中實現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能,包括固態(tài)斷路器(SSCB)、AI數(shù)據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。

Q-DPAK封裝的CoolSiC™ JFET G1

英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示:“市場需要更加智能、快速且可靠的配電系統(tǒng),英飛凌將通過CoolSiC™ JFET滿足這一日益增長的需求。這項以應用為導向的功率半導體技術,專為賦能客戶應對這一快速發(fā)展領域中的復雜挑戰(zhàn)而設計,為其提供所需的關鍵技術工具。我們自豪地推出具備業(yè)界領先的導通電阻(RDS(ON))的產品,重新定義了碳化硅(SiC)性能標桿,并進一步鞏固了英飛凌在寬禁帶半導體技術領域的領導地位。”

第一代CoolSiC™ JFET擁有最低值為1.5 mΩ(750 VBDss)/2.3 mΩ(1200 VBDss )的超低RDS(ON),能夠大幅減少導通損耗。溝道經過優(yōu)化過的SiC JFET在短路和雪崩故障條件下具有高度的可靠性。該產品采用Q-DPAK頂部散熱封裝,便于并聯(lián),并具備可擴展的電流處理能力,能夠為緊湊型高功率系統(tǒng)提供靈活的布局和集成選項。其在熱應力、過載和故障條件下?lián)碛锌深A測的開關能力,能夠在連續(xù)運行中長期保持極高的可靠性。

為應對嚴苛應用環(huán)境中的散熱和機械問題,CoolSiC™  JFET采用英飛凌先進的.XT互連技術與擴散焊接工藝,從而顯著降低了器件在工業(yè)電力系統(tǒng)中常見的脈沖與循環(huán)負載下的瞬態(tài)熱阻抗,并大幅提升了其可靠性。該器件基于固態(tài)功率開關的實際工況測試和驗證,并采用符合行業(yè)標準的Q-DPAK封裝,可在工業(yè)與汽車應用中實現(xiàn)快速、無縫的設計集成。

供貨情況新型CoolSiC™ JFET 系列的工程樣品將于 2025 年推出,并于2026年開始量產,后續(xù)還將加入多種封裝和模塊。該產品系列將在紐倫堡 PCIM Europe 2025的英飛凌展臺進行展示。了解更多信息,請訪問 www.infineon.com/jfet。

英飛凌將參加PCIM Europe 2025歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展(PCIM Europe)將于2025年5月6~8日在德國紐倫堡舉行。英飛凌將在7號展廳470號展臺展示低碳化和數(shù)字化產品和解決方案。公司代表還將在PCIM Expo舞臺和同期舉辦的PCIM會議上發(fā)表多場演講。進一步了解英飛凌在PCIM 2025展會上的亮點,請訪問 www.infineon.com/pcim。

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,060名員工(截至2024年9月底),在2024財年(截至9月30日)的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。

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英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業(yè)鏈,并在銷售、技術應用支持、人才培養(yǎng)等方面與國內領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

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