中國(guó)上海，2025年9月25日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用，適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站使用的工業(yè)設(shè)備。產(chǎn)品于今日開(kāi)始正式出貨。

100V U-MOS11-H系列優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步改善了U-MOSX-H系列的漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）、總柵極電荷（Qg）以及這兩者（RDS(ON)×Qg）之間的平衡，從而降低了導(dǎo)通及開(kāi)關(guān)損耗。

與U-MOSX-H系列產(chǎn)品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低了約8%，Qg降低了37%，RDS(ON)×Qg改善了42%。此外，它還可通過(guò)應(yīng)用壽命控制技術(shù)[2]實(shí)現(xiàn)高速體二極管性能，從而降低反向恢復(fù)電荷（Qrr）并抑制尖峰電壓。與TPH3R10AQM相比新產(chǎn)品的Qrr改善約38%，RDS(ON)×Qrr改善約43%。這些業(yè)界領(lǐng)先[3]的RDS(ON)×Qg和RDS(ON)×Qrr平衡特性[4]可最大限度降低功耗，從而提高電源系統(tǒng)的效率和功率密度。新產(chǎn)品還采用SOP Advance (N)封裝，具有與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高度兼容的貼裝特性。

東芝現(xiàn)在還提供以下兩款電路設(shè)計(jì)支持工具：可在短時(shí)間內(nèi)驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE模型，以及可精確再現(xiàn)瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

未來(lái)東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其低損耗MOSFET的產(chǎn)品線，為實(shí)現(xiàn)更高效的電源以及降低設(shè)備功耗做出貢獻(xiàn)。

應(yīng)用：

-數(shù)據(jù)中心和通信基站等工業(yè)設(shè)備的電源

-開(kāi)關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）

特性：

-低漏源導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝7mΩ（最大值）（VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）

-低總柵極電荷：Qg＝52nC（典型值）（VDD＝50V、VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）

-低反向恢復(fù)電荷：Qrr＝55nC（典型值）（IDR＝50A、VGS＝0V、–dIDR/dt＝100A/μs、Ta＝25°C）

主要規(guī)格：

（除非另有說(shuō)明，Ta＝25°C）

注：

[1] 截至2025年9月，東芝的低壓功率MOSFET工藝。東芝調(diào)查。

[2] 壽命控制技術(shù)：通過(guò)使用離子束在半導(dǎo)體中引入缺陷，故意縮短載流子壽命，可提高開(kāi)關(guān)速度，進(jìn)而可提高二極管的恢復(fù)速度并降低噪聲。

[3] 截至2025年9月，與其他適用于工業(yè)級(jí)100V N溝道功率MOSFET相比。東芝調(diào)查。

[4] RDS(ON)×Qg＝120mΩ·nC（典型值），RDS(ON)×Qrr＝127mΩ·nC（典型值）

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