電源技術(shù)的進(jìn)展與電源管理的應(yīng)用帶精密電源基準(zhǔn)電平轉(zhuǎn)換的高性能差分放大器基于小信號(hào)S參數(shù)的功率放大器設(shè)計(jì) 雙向開關(guān)前置的單相升壓APFC變換器建模和仿真 中小企業(yè)站起來 LED進(jìn)攻醫(yī)療照明 反激式變壓器開關(guān)電源 2012年背光模塊產(chǎn)值成長力道將遇瓶頸 全球Q3產(chǎn)能利用率接近滿載

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。

IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是生產(chǎn)技術(shù)改進(jìn)的成果，以全新緊湊的占位空間提供比標(biāo)準(zhǔn)PQFN 3 x 3器件高出多達(dá)60%的負(fù)載電流能力，同時(shí)極大地減少了整體封裝電阻，從而達(dá)到極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 。除了低導(dǎo)通電阻，新的高性能PQFN封裝加強(qiáng)了熱傳導(dǎo)率并提高了可靠性，且符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及MSL1濕度敏感性測試。

這一高性能PQFN封裝技術(shù)也適用于5 x 6 mm占位面積的器件，與標(biāo)準(zhǔn)PQFN 5 x 6 器件相比，在設(shè)計(jì)要求更多電流時(shí)無需增加額外占位面積。

該系列產(chǎn)品包括用作控制MOSFET的優(yōu)化器件，具有低柵極導(dǎo)通電阻 (Rg) ，以減少開關(guān)損耗。在同步MOSFET應(yīng)用方面，新器件以FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 配置形式提供，從而縮短反向恢復(fù)時(shí)間，以提高效率和EMI性能。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“全新系列高性能PQFN封裝器件專為DC-DC應(yīng)用優(yōu)化，是非?？煽壳异`活的高密度解決方案。此外，隨著IR對(duì)PQFN產(chǎn)品的擴(kuò)展，客戶現(xiàn)在可以從眾多封裝組合中挑選出使他們的設(shè)計(jì)達(dá)到最佳效果的產(chǎn)品?！?/p>

新器件的高度小于1 mm，與現(xiàn)有表面貼裝技術(shù)兼容，并擁有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。

產(chǎn)品規(guī)格

器件編號(hào) 封裝 BVDSS (V) 最大VGS (V) 在10V下典型/最大RDSon (m?) 在4.5V下典型/最大RDSon (m?) 在4.5V下典型Qg (nC) 額外

芯片功能

 新系列已接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)及MOSFET產(chǎn)品選擇工具可通過 IR 網(wǎng)站 www.irf.com供應(yīng)。 

IR簡介

國際整流器公司 (簡稱 IR，紐約證交所代號(hào) IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

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