直接測(cè)試就行,有計(jì)算公試的,但一般還是用經(jīng)驗(yàn)值!

能否說(shuō)明具體是測(cè)哪些點(diǎn)之間的電壓波形?

用示波器的正極接MOSFET的D極.負(fù)極接初級(jí)側(cè)地測(cè)就好了.

那漏極峰值最大值一般不容許超過(guò)多少V呢?是否改變電阻值的大小就可以改變漏極峰值呢?謝!

漏極峰值最大值一般不容許超過(guò)mosfet的Vdss規(guī)格.可以改變電阻,電容的大小,但效果不會(huì)很明顯.主要是在變壓器上.

是否可以說(shuō)主要是變壓器的漏感造成的?

變壓器的漏感是有一定的影響

那位DX有計(jì)算RCD電路取值的計(jì)算公式啊!請(qǐng)給小弟一份!謝謝先!!

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測(cè)量的方法就是加在D極上就能看它的峰值啊,但要使反峰電壓降低難度還是蠻大的,變壓器漏感是有影響,調(diào)電阻電容也可以,仍不是很有效果,望高手指教.不知道是否有心得……

C只是消除瞬間的尖鋒電壓,而Rc則是在放掉C的能量,MOS管的DS耐壓必須大于最高輸入電壓和反射電壓和尖峰電壓.比如寬范圍電壓85V~264V,變壓器匝比為34:7,輸出為19V,19那么在輸入電壓為264V時(shí),如果是用600VMOS,那么尖峰電壓必須控制在72V以下.600V*0.9-264*1.414-(19+VF)34/7=72V(相對(duì)值),所以匝比很重要,它決定占空,也決定輸出端的反峰電壓,也決定輸入的反射電壓'   對(duì)于18V的電腦適配器,如果你合理調(diào)整匝比可以用100V的肖特基,否則你只能用成本稍高150V管子了.幾毛啊,這可是數(shù)目.

反激變換器中RCD箝位電路的設(shè)計(jì).pdf

沒(méi)有發(fā)上去?暈,再來(lái)一遍
1517891182952885.pdf

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感謝!

頂

對(duì)于該文章,有誰(shuí)能解答其中關(guān)于能量守恒的說(shuō)法(第3頁(yè)):
W(R-clamp)=W1+W1*Vor/(Vclamp-Vor).

個(gè)人覺(jué)得,電阻上消耗的能量,一定小于漏感能量,因?yàn)槌寺└心芰繉?duì)電容充電外,沒(méi)有別的能量傳過(guò)來(lái)了.但上面W1為漏感能量,它比電阻上的消耗能量W(R-clamp)還小.

覺(jué)得是有問(wèn)題,這樣算出來(lái)的R有點(diǎn)小了,把W1與W(R-clamp)位置互換一下到是比較接近

這樣是沒(méi)有問(wèn)題的,因?yàn)镽CD吸收的不只有漏感的能量.它還與反射電壓有關(guān)系.給一份文件,上面有詳細(xì)的說(shuō)明,大概和前面的差不多,但是看起來(lái)更容易理解 500181186996213.pdf

這位大俠 你好.請(qǐng)教您一個(gè)問(wèn)題:
我現(xiàn)在變壓器的匝數(shù)比是: P :S :B = 38:14:11
在用100v的肖特基的時(shí)候(v30100s),100vAC輸入沒(méi)問(wèn)題, 在220vAC輸入的時(shí)候燒掉了.
請(qǐng)問(wèn)如何調(diào)整.謝謝.我的輸出是23v ,頻率是50khz,電流6A.

蕭特基耐壓不夠
110V時(shí),110*1.4/38*14=56.7V
220V時(shí),220*1.4/38*14=113.5V>100V

路過(guò)頂一下

這個(gè)資料不錯(cuò),值得頂一頂,謝了v!

謝謝!!!我會(huì)仔細(xì)看的.

不客氣.

漏感是一個(gè)原因，還有匝比

學(xué)習(xí)了