MOS開機(jī)瞬間僅有一根電流尖峰,如下波形MOS的DS電流及電流波形
正常工作時(shí)便不出有這種現(xiàn)象出現(xiàn)了,MOS用的是STF13NM60,TO220F封裝,如下附件,
請問此MOS能否安全工作?是否工作在MOS的安全區(qū)域?它的能量為多少?是否會(huì)超出雪崩能量?
麻煩各位幫忙解釋一下,急。。。感謝了?。?/P>
MOS開機(jī)瞬間僅有一根電流尖峰,如下波形MOS的DS電流及電流波形
正常工作時(shí)便不出有這種現(xiàn)象出現(xiàn)了,MOS用的是STF13NM60,TO220F封裝,如下附件,
請問此MOS能否安全工作?是否工作在MOS的安全區(qū)域?它的能量為多少?是否會(huì)超出雪崩能量?
麻煩各位幫忙解釋一下,急。。。感謝了?。?/P>
我那同事這樣子回復(fù)我,請問這樣是否正確,謝謝!
經(jīng)初步計(jì)算已超出MOSFET之SOA.
當(dāng)MOSFET之SOA曲線之10nS為20A時(shí):
(Tj=150度 – Tc=25度)/ (500V*20A) = > Rthc=0.0125(度/W)
當(dāng)Tc=100度時(shí):
(Tj=150度 – Tc=100度)/ 0.0125(度/W) = > V*I=4000W
目前量測V=410,
I=4000W/410V=9.7A(max)
MOSFET之SOA最大值為9.7A < 15.5A (初步判定已超出MOSFET之SOA)
我也覺的這樣理解不太對,一般如果不工作放大區(qū),其他參數(shù)不超應(yīng)該問題不大