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ＲＣＤ吸收回路，參數(shù)如何設(shè)定？電阻溫度超高，求高人指教

 如圖，Ｒ１為　?。常埃皻W　３Ｗ　表面溫動　達到了?。玻埃岸喽?，
　　?。遥睘椤。常皻W，　　　　　表面溫度在?。保矗岸?，
　　　Ｒ１為?。硽W，　　　　　　表面溫度在?。矗刀龋?/DIV>
 
為了更好吸收尖峰，和保證Ｒ１的表面溫度，電阻選多少為好，輸入為１１０或者２２０ＶＡＣ　開關(guān)選擇，?。玻埃埃追醇ら_關(guān)電源。
 
全部回復(fù)(19)
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2013-02-27 16:07
下面Ｒ２是　輸入電流　過流檢測電阻
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btclass
LV.7
3
2013-02-27 16:14
103太大了。估計2200P足以。
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btclass
LV.7
4
2013-02-27 16:15
@btclass
103太大了。估計2200P足以。
個人覺得電容低端直接接地好，不然會干擾ISENSE。
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2013-02-27 16:53

感覺電阻值有點小，這上面可是幾百V的電壓哦。最好算一下電阻損耗。

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2013-02-27 17:03
這種吸收電路,用103太夸張了.
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2013-02-27 17:28
@sometimes
這種吸收電路,用103太夸張了.
以生產(chǎn)了?。玻硕嗥‖F(xiàn)在Ｒ１用的是?。常埃皻W，　老化不到３０秒，有一固白煙出來，用?。硽W就不會，
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2013-02-27 17:31
@一個好人
以生產(chǎn)了　２Ｋ多片，　現(xiàn)在Ｒ１用的是?。常埃皻W，　老化不到３０秒，有一固白煙出來，用?。硽W就不會，
用3歐姆的話,你mos不熱?
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2013-02-27 17:34
@sometimes
用3歐姆的話,你mos不熱?
ＭＯＳＦＥＴ是兩個２６１１并在一起，溫度很高，有一個風扇在吹
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2013-02-27 17:35
@一個好人
ＭＯＳＦＥＴ是兩個２６１１并在一起，溫度很高，有一個風扇在吹
這個電容真不需要這么大,幾百PF就足夠了
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2013-02-27 17:36
@一個好人
ＭＯＳＦＥＴ是兩個２６１１并在一起，溫度很高，有一個風扇在吹
用３Ｋ　肯定是馬上燒掉的，現(xiàn)在用３００歐，電阻兩端壓降有　１２Ｖ，　用３０歐，就只有１.４Ｖ，　用３歐，只有０.１Ｖ不到　
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asouth
LV.8
12
2013-03-01 09:26
@一個好人
用３Ｋ　肯定是馬上燒掉的，現(xiàn)在用３００歐，電阻兩端壓降有　１２Ｖ，　用３０歐，就只有１.４Ｖ，　用３歐，只有０.１Ｖ不到　
你有沒有看過MOS管上DS的波形？R1取不同的值，VDS的波形有什么不同？
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david0015
LV.4
13
2013-03-08 09:43
 你的接法是不是有問題??？個人感覺
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higel
LV.8
14
2013-03-08 10:36
@david0015
[圖片] 你的接法是不是有問題?。總€人感覺

同感...

樓主那樣接R1會一直有電流流過的

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david0015
LV.4
15
2013-03-08 10:43
@higel
同感...樓主那樣接R1會一直有電流流過的
不明白樓主為何要這樣接
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2013-03-08 10:56
@david0015
不明白樓主為何要這樣接
他的接法是沒什么問題,只不過取值有大大的問題.
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higel
LV.8
17
2013-03-08 11:30
@sometimes
他的接法是沒什么問題,只不過取值有大大的問題.
這個接法，二極管像是多余的
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2013-03-08 11:36
@higel
這個接法，二極管像是多余的
二極管可以加強吸收尖峰的效果
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gaos233
LV.5
19
2013-03-11 15:28
@一個好人
下面Ｒ２是　輸入電流　過流檢測電阻
你發(fā)一個完整的電路出來？
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fly
20
2013-03-11 16:13
你的吸收電容太大了，電容吸收的能量在開關(guān)管導(dǎo)通時通過MOS的導(dǎo)通電阻和R1串聯(lián)進行釋放。R1取值大的話，R1上分得的電壓高，所占的損耗大。R1取值小的時候，MOS上所占的損耗大，只是你的MOS散熱好，不是很明顯而已。
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